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格芯技術大會攜最新技術突出中國市場重要地位
- 近日,格芯2017技術大會(GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC)于上海舉行,格芯盛邀數(shù)百位半導體行業(yè)領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂,并精心為與會者準備了公司的核心業(yè)務、市場推進方向與創(chuàng)新成果,以及包括制程工藝、設計實現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進展,共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會,本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛,包括FDX?設計和生態(tài)系統(tǒng)、IoT,5G/網(wǎng)絡和汽車解決方案智能應用,F(xiàn)DX?、Fi
- 關鍵字: GTC FDSOI FINFET 制程
局部應變技術可望提高FDSOI性能
- 法國研究機構CEA-Leti宣布開發(fā)出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導局部應變的2種新技術,可望用于實現(xiàn)更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路。 意法半導體(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進晶片中采用FDSOI,并視其為能夠達到世界級能效的方法,而且不必面對像FinFET制程的復雜性與高成本?! 【Ц裆系膽兺ǔS糜谠黾觽鹘y(tǒng)平面CMOS與FinFET CMOS的行動性。如今,Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上
- 關鍵字: FDSOI
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