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          格芯技術大會攜最新技術突出中國市場重要地位

          • 近日,格芯2017技術大會(GLOBALFOUNDRIES Technology Conference或GTC)于上海舉行,格芯盛邀數(shù)百位半導體行業(yè)領導者、客戶、研究專家與核心媒體齊聚一堂,并精心為與會者準備了公司的核心業(yè)務、市場推進方向與創(chuàng)新成果,以及包括制程工藝、設計實現(xiàn)、IP、射頻以及生態(tài)圈的發(fā)展等方面的最新進展,共同聚焦格芯面向5G互聯(lián)時代的技術解決方案。作為格芯的年度技術盛會,本次大會格芯分享的技術主題十分廣泛,包括FDX?設計和生態(tài)系統(tǒng)、IoT,5G/網(wǎng)絡和汽車解決方案智能應用,F(xiàn)DX?、Fi
          • 關鍵字: GTC  FDSOI  FINFET  制程  

          局部應變技術可望提高FDSOI性能

          •   法國研究機構CEA-Leti宣布開發(fā)出可為全耗盡型絕緣體上覆矽(FDSOI)矽通道制程誘導局部應變的2種新技術,可望用于實現(xiàn)更快速、低功耗與高性能的下一代FDSOI電路。  意法半導體(STMicroelectronics;ST)和Globalfoundries倡議為先進晶片中采用FDSOI,并視其為能夠達到世界級能效的方法,而且不必面對像FinFET制程的復雜性與高成本?! 【Ц裆系膽兺ǔS糜谠黾觽鹘y(tǒng)平面CMOS與FinFET CMOS的行動性。如今,Leti則提議將它用在下一代的FDSOI電路上
          • 關鍵字: FDSOI  

          法機構將于明年9月啟動基于20nm FDSOI的300mm多項目晶片研究計劃

          •   法國兩家半導體研究機構CEA-Leti和Circuits Multi Projets日前宣布,他們將在一項定于明年9月份啟動的300mm多項目晶片研究計劃中采用基于20nm制程的全耗盡型SOI工藝制作這種芯片。這次 多項目晶片研究計劃是由歐洲一個專門研究SOI技術的學術團體EuroSOI+負責參與支持的。   所謂的多項目芯片(multi-project wafer:MPW),指的是在同一片晶圓上采用相同的制程制出不同電路設計的IC芯片,這樣可以為多家廠商或研究機構的IC設計驗證節(jié)約成本,非常適用于
          • 關鍵字: FDSOI  20nm  
          共3條 1/1 1

          fdsoi介紹

            FDSOI技術即全耗盡型SOI技術,有些文獻上也寫成ETSOI即超薄型SOI,具有非常強的競爭力,適合20nm及更高級別制程的移動/消費電子產(chǎn)品使用。  FD-SOI是下一代晶體管結構的熱門技術之一。目前制造晶體管的主流技術是采用體硅技術制作的32/28nm制程平面型晶體管?! MD,IBM以及其它部分廠商目前則在使用基于部分耗盡型SOI技術的平面型晶體管制造自己的處理器產(chǎn)品。相比之下,In [ 查看詳細 ]

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