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TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時(shí)，經(jīng)過改進(jìn)的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
- 關(guān)鍵字： MOSFET FOM
耦合電感技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
- 本文通過分析耦合電感技術(shù)優(yōu)勢(shì)，比較耦合電感技術(shù)與傳統(tǒng)電感技術(shù)的設(shè)計(jì)對(duì)比，利用耦合電感提高系統(tǒng)性能。
- 關(guān)鍵字： 耦合電感 傳統(tǒng)電感 電源拓?fù)?/a> 電流紋波 FOM 201505
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