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晶圓代工開始關(guān)注新型存儲(chǔ)

新型存儲(chǔ)器能夠滿足未來(lái)更加多樣化的存儲(chǔ)需求。
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富士通電子推出可在125℃高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的最新4Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS4MTY的4Mbit FRAM，其容量達(dá)到FRAM產(chǎn)品最高水平，運(yùn)作溫度最高可達(dá)125℃。目前可為客戶提供評(píng)測(cè)版樣品。這款全新FRAM是非易失性內(nèi)存產(chǎn)品，在125℃高溫環(huán)境下可以達(dá)到10兆次讀/寫次數(shù)，工作電流低，是工業(yè)機(jī)器人和高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）等汽車應(yīng)用的最佳選擇。FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，并已量產(chǎn)20多年，近年來(lái)廣泛用于可穿戴設(shè)備、工業(yè)機(jī)器人和無(wú)人機(jī)。自去年發(fā)布以來(lái)，2Mbit FRAM M
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從新能源汽車到智能充電樁，富士通打造車聯(lián)網(wǎng)存儲(chǔ)IC完美陣列

隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)和自動(dòng)駕駛技術(shù)的推廣，汽車半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)黃金發(fā)展時(shí)期。有資料顯示，對(duì)于 L1 到 L5 等級(jí)的自動(dòng)駕駛而言，在 L1 時(shí)自動(dòng)駕駛的半導(dǎo)體成本只有約 150 美金，到 L3 等級(jí)提升至 600 美金，上升到 L4、L5 等級(jí)，整車的半導(dǎo)體成本將會(huì)達(dá)到 1200 美金。而這個(gè)快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)中，存儲(chǔ)產(chǎn)品和技術(shù)并不為主流媒體關(guān)注。富士通電子元器件(上海)有限公司產(chǎn)品管理部總監(jiān)馮逸新也在近日的一次活動(dòng)中表示：“隨著新基建的部署，充電樁的普及將快速促進(jìn)新能源汽車的普及，無(wú)論是樁側(cè)還是車側(cè)，未來(lái)都將
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富士通電子推出能在苛刻環(huán)境正常工作的SPI 2Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS2MTY的SPI 2Mbit FRAM?注1?。此款容量最高的FRAM產(chǎn)品能在高達(dá)攝氏125度的高溫下正常運(yùn)作，其評(píng)測(cè)樣品（evaluation sample）現(xiàn)已開始供應(yīng)。?此款FRAM非易失性內(nèi)存在運(yùn)作溫度范圍內(nèi)能保證10兆次讀 / 寫次數(shù)，并支持實(shí)時(shí)記錄像駕駛數(shù)據(jù)或定位數(shù)據(jù)等，這類需要持續(xù)且頻繁的數(shù)據(jù)記錄。由于該內(nèi)存屬于非易失性，并且具有高速寫入特點(diǎn)，即使遇到突然斷電的狀況，寫入的數(shù)據(jù)也能完整保留不會(huì)遺失。
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富士通電子將自9月推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM產(chǎn)品

富士通電子元器件（上海）有限公司今日宣布，推出業(yè)內(nèi)最高密度8Mbit ReRAM(?注1?)---“MB85AS8MT”，此款ReRAM量產(chǎn)產(chǎn)品由富士通與松下電器半導(dǎo)體(Panasonic Semiconductor Solutions Co. Ltd.)(?注2?)合作開發(fā)，將于今年9月開始供貨。MB85AS8MT是采用SPI接口并與帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器 (EEPROM) 兼容的非揮發(fā)性內(nèi)存，能在1.6至3.6伏特之間的廣泛電壓范圍運(yùn)作。其一大特色是極低的平均
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獨(dú)立存儲(chǔ)器

●? ?簡(jiǎn)介●? ?FRAM的優(yōu)勢(shì)●? ?產(chǎn)品列表●? ?FRAM產(chǎn)品陣列簡(jiǎn)介FRAM是集合了ROM和RAM兩種存儲(chǔ)器的優(yōu)勢(shì)。擅于進(jìn)行高速寫入、具有長(zhǎng)的耐久力和低功耗。富士通半導(dǎo)體提供了采用串行（I2C和SPI）和并行外設(shè)的FRAM產(chǎn)品，目前4Kb至4Mb的產(chǎn)品也已量產(chǎn)。?富士通正在為客戶評(píng)估提供工程研發(fā)樣品或生產(chǎn)樣品。請(qǐng)確認(rèn)我們的?FRAM產(chǎn)品陣列?，如果您想獲得樣品，請(qǐng)?zhí)顚憽癋RAM樣品/文
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FRAM產(chǎn)品陣列

FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）具有像E2PROM一樣的非易失性的優(yōu)勢(shì) ，在沒有電源的情況下可以保存數(shù)據(jù)，用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。FRAM具有兩個(gè)產(chǎn)品系列，串行接口（I2C，SPI）和并行接口產(chǎn)品。采用串行I/F的FRAM可以用E2PROM或串行閃存來(lái)代替，而采用并行I/F的產(chǎn)品可以用低功耗SRAM或Pseudo SRAM (PSRAM)來(lái)代替。富士通半導(dǎo)體集團(tuán)控制著FRAM的整個(gè)生產(chǎn)程序；在日本的芯片開發(fā)和量產(chǎn)及組裝程序。富士通公司保證了FRAM產(chǎn)品的高質(zhì)量和穩(wěn)定供應(yīng)。自從1999年開始，F(xiàn)RAM產(chǎn)品已經(jīng)連續(xù)供應(yīng)12年以上
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富士通電子推出可在高溫下穩(wěn)定運(yùn)行的新款2Mbit FRAM

富士通電子元器件（上海）有限公司近日宣布，推出型號(hào)為MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM，可在125℃高溫度下正常運(yùn)行。該器件工作電壓可低至1.7V至1.95V，配有串行外設(shè)接口（SPI）。目前可為客戶提供評(píng)測(cè)版樣品，將在6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這款全新FRAM產(chǎn)品是汽車電子電控單元的最佳選擇，滿足高端汽車市場(chǎng)對(duì)低功耗電子器件的需求，如ADAS。圖1：MB85RS2MLY 8pin DFN 封裝圖2：應(yīng)用實(shí)例（ADAS）FRAM的讀/寫耐久性、寫入速度和功耗均優(yōu)于EEPROM和閃存，已有對(duì)傳統(tǒng)非易失性內(nèi)存
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存儲(chǔ)市場(chǎng)獨(dú)辟蹊徑，富士通20年布局嵌入式系統(tǒng)存儲(chǔ)

全球內(nèi)存市場(chǎng)幾年前價(jià)格瘋漲對(duì)于IT產(chǎn)業(yè)業(yè)者大概仍然心有余悸！隨著這場(chǎng)“芯片戰(zhàn)爭(zhēng)”的硝煙而起的是，中國(guó)存儲(chǔ)行業(yè)海量投資的相關(guān)產(chǎn)線紛紛上馬，并預(yù)計(jì)在今年逐漸開花結(jié)果，即將可能形成中美韓三國(guó)爭(zhēng)霸的局面，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)未來(lái)的風(fēng)云變幻也將更加風(fēng)譎云詭。特別是隨著5G部署落地、人工智能、大數(shù)據(jù)和物聯(lián)網(wǎng)的普及，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)已經(jīng)進(jìn)入長(zhǎng)期向上穩(wěn)定增長(zhǎng)的通道。根據(jù)預(yù)測(cè)，2023年人類數(shù)據(jù)的產(chǎn)生將會(huì)超過(guò)103個(gè)ZB(數(shù)據(jù)單位量級(jí)GB\TB\PB\EB\ZB)！?在存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域，低容量密度的嵌入式系統(tǒng)關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)一直似乎風(fēng)平浪靜
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以創(chuàng)新型存儲(chǔ)掘金百億表計(jì)市場(chǎng)，富士通FRAM+NRAM引領(lǐng)計(jì)量存儲(chǔ)技術(shù)變革

過(guò)去十年，智能電表大范圍替代傳統(tǒng)電表的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變，成為工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)高速發(fā)展的一個(gè)縮影。中商產(chǎn)業(yè)研究院相關(guān)報(bào)告指出，預(yù)計(jì)2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將達(dá)142.2億美元，與2016年的88.4億美元、2017年的97.2億美元相比，年均復(fù)合增長(zhǎng)率約10%。而Navigant Research研究報(bào)告指出，中國(guó)在2018年第一季度持續(xù)引領(lǐng)全球智能電表市場(chǎng)，安裝量超過(guò)4.96億臺(tái)，占全球總量的68.4%，并正在向下一代智能電表發(fā)展。圖1：中商產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測(cè)2021年全球智能電表市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模由此看來(lái)，中國(guó)智能電
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存儲(chǔ)領(lǐng)域叢林法則下，富士通用20年的專注演繹另類崛起

　　市場(chǎng)經(jīng)濟(jì)下每一個(gè)技術(shù)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)都是一場(chǎng)叢林法則的生動(dòng)演繹。隨著物聯(lián)網(wǎng)和大數(shù)據(jù)等新興應(yīng)用的爆發(fā)增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器領(lǐng)域的叢林法則年年都在上演“生動(dòng)”的故事。不過(guò)，在存儲(chǔ)領(lǐng)域卻有一種技術(shù)過(guò)著一種與“主流”無(wú)爭(zhēng)的日子，在嵌入式系統(tǒng)關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域默默耕耘二十年，憑借高讀寫耐久性、高速寫入和超低功耗的獨(dú)特特質(zhì)，近年來(lái)在Kbit和Mbit級(jí)小規(guī)模數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域開始風(fēng)生水起，在各種應(yīng)用領(lǐng)域頻頻“露臉”并大有斬獲，這就是鐵電存儲(chǔ)器FRAM。　　FRAM的非易失性對(duì)于當(dāng)時(shí)業(yè)界可以說(shuō)是顛覆性的，存儲(chǔ)器的非易失性指在沒有上電的狀態(tài)
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再獲新能源汽車大廠訂單，富士通原廠+代理身份完美布局汽車電子產(chǎn)業(yè)鏈

　　過(guò)去十年，隨著新能源汽車與自動(dòng)駕駛的興起，汽車產(chǎn)業(yè)70%的創(chuàng)新來(lái)源于汽車電子技術(shù)及其產(chǎn)品的開發(fā)應(yīng)用?！　C Insights數(shù)據(jù)顯示，預(yù)計(jì)2018年汽車電子的銷售額將增長(zhǎng)7.0%，2019年將增長(zhǎng)6.3%，成為六大半導(dǎo)體目標(biāo)市場(chǎng)中兩年來(lái)的最高增長(zhǎng)率。值得注意的是，汽車特殊用途邏輯類別預(yù)計(jì)2018年增長(zhǎng)29%，汽車應(yīng)用專用模擬市場(chǎng)增長(zhǎng)14%——作為備用攝像頭、盲點(diǎn)(車道偏離)探測(cè)器和其他“智能”系統(tǒng)被強(qiáng)制或以其他方式添加到更多車輛中。同時(shí)，存儲(chǔ)器在車輛中使用的新汽車系統(tǒng)解決方案的開發(fā)中越來(lái)越重要。
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如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲(chǔ)器

　　汽車系統(tǒng)的設(shè)計(jì)變得越來(lái)越復(fù)雜，因?yàn)橐粩嗟募尤胄碌墓δ?，如高?jí)駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確保可靠、安全的操作，每個(gè)子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲(chǔ)器，以便在復(fù)位操作和電源切換期間存儲(chǔ)信息。非易失性存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)、安全性能和防護(hù)安全相關(guān)信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來(lái)檢索用途。　　目前市場(chǎng)上主要包含這幾種不同類型的非易失性存儲(chǔ)器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器)、FRAM(鐵電存儲(chǔ)器)，MRAM
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2018汽車電子如何突破？這三大維度值得關(guān)注

　　2017下半年，伴隨業(yè)界關(guān)注已久的《乘用車企業(yè)平均燃料消耗量與新能源汽車積分并行管理辦法》(簡(jiǎn)稱“雙積分辦法”)正式發(fā)布，眾多中外車企都面臨了更為迫切的減排壓力，也在無(wú)形中加速了新能源車的落地普及。由于燃油車在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)都將存在于市場(chǎng)，而電氣化技術(shù)在燃油車、混動(dòng)車的節(jié)能減排等方面發(fā)揮了越來(lái)越重要的作用，也導(dǎo)致了其電氣化比例在逐漸提升，進(jìn)一步刺激汽車電子產(chǎn)品，乃至功率器件等電子元器件的出貨量。　　根據(jù)IHS的數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016年全球汽車電子的市場(chǎng)規(guī)模為1160億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)到1602億美
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在RFID中嵌入FRAM，有必要嗎？

在RFID中嵌入FRAM，有必要嗎？-富士通半導(dǎo)體內(nèi)嵌FRAM的RFID產(chǎn)品相比其單體FRAM產(chǎn)品是比較新的，而市場(chǎng)上常用的RFID產(chǎn)品嵌入的是EEPROM。與內(nèi)嵌EEPROM的RFID產(chǎn)品相比，內(nèi)嵌FRAM的RFID讀寫速度快很多，并且其抗輻射性比EEPROM高出不止一個(gè)數(shù)量級(jí)。
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