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條狀過(guò)孔成大勢(shì)所趨

對(duì)于28納米及以下節(jié)點(diǎn)，各種新的設(shè)計(jì)要求使工程師不得不調(diào)整傳統(tǒng)的數(shù)字電路板圖設(shè)計(jì)和驗(yàn)證流程。尤其值得一提的是，過(guò)孔的使用受到了很大的影響。新的過(guò)孔類(lèi)型已推出，雙重成像（double patterning）、FinFETS 和其它新的設(shè)計(jì)技巧的加入不僅使過(guò)孔的使用顯著增多
關(guān)鍵字：條狀過(guò)孔雙重成像 FinFETS 矩形過(guò)孔布局布線

英特爾的Tri-gate并非一場(chǎng)容易的競(jìng)爭(zhēng)

專家指出：英特爾公司在把FinFETs元件帶入生產(chǎn)浪潮上可能會(huì)有多達(dá)五年的領(lǐng)導(dǎo)地位。一個(gè)雙外延工藝，并嚴(yán)格控制其他步驟，預(yù)示著對(duì)其它公司迅速趕超英特爾的領(lǐng)導(dǎo)地位是一個(gè)大的挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：英特爾晶圓 FinFETs

共2條 1/1 1

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