最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃，還導致原定于后續推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續 Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產之后，研發和量產的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現量產。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區的寶山2nm首座晶圓廠P1已經完成鋼構工程，并正在進行無塵室等內部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作，相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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臺積電 2nm 制程 晶圓廠 GAA
臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術與訂單仍保持一定優勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉進GAA技術，三星還是得向臺積電看齊學習。即使如此，三星也打算透過低價策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報導，三星雖在3納米就開始使用GAA技術，量產時間也比臺積電早數個月，但在良率與技術上無法獲得客戶青睞，蘋果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術。三星不甘示弱，希望能在2納米領域上扭
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臺積電 2納米 三星 GAA
日立高新技術公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統。GT2000利用日立高新技術在CD-SEM*1方面的技術和專業知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產的產率。日立高新技術（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠實現高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助
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日立高新 測試測量 GAA CFET
外媒eNewsEurope報道，英特爾和臺積電將在國際電子元件會議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場效晶體管進展，這有望使CFET成為十年內最可能接替全環繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進制程。CFET場效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實現更高的密度。該項技術最初由比利時微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數早期研究以學術界為主，但英特爾和臺積電等半導體企業現在已經開始這一領域的研發，借此積極探索這種下一代先進晶體管技術。英特爾表示，研究員建構一個單片3DCFET，
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GAA CFET
三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導體展會 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術的最新進展以及對 SRAM 設計的影響。3納米GAA MBCFET的優越性GAA指的是晶體管的結構。晶體管是電子電路的組成部分，起到開關的作用，也就是當門極施加電壓時，電流在源極和漏極之間通過通道流動。在晶體管設計的優化過程中，有三個關鍵變量：性能、功耗和面積（PPA）。晶體管制造商一直在不斷追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面積。隨著晶體管尺寸的縮小，它們的結構也從平面晶
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三星 GAA MBCFET
IT之家 10 月 21 日消息，據 BusinessKorea 報道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業務部技術開發部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內首次成功地量產了基于 GAA 技術的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計劃不遺余力地擴大其芯片代工廠的生產能力，其目標是到 2027 年將其生產能力提高三倍以上。為此，這家芯片
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三星 GAA 技術
2022年6月30日，作為先進的半導體技術廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節點的芯片已經開始初步生產。較三星5納米（nm）而言，優化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實現GAA"多橋-通道場效應晶體管"（簡稱: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）應用打破了FinFET技術的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高
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三星 3納米 GAA
據臺灣媒體報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發有重大突破，已成功找到路徑，將切入環繞式柵極技術(gate-all-around，簡稱GAA)技術。臺積電臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺積電負責研發的資深副總經理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發工程師全心投入。臺積電3nm制程預計明年上半年在南科18廠P4廠試產、2022年量產，業界以
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臺積電 2nm GAA
每年十二月，在美國舊金山或華盛頓哥倫比亞特區其中一處舉行的年度電子會議。此會議作為一個論壇，在其中報告半導體、電子元件技術、設計、制造、物理與模型等領域中的技術突破。這個會會議就是IEEE國際電子元件會議(International
Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM) 在每一界的IEDM上，全球工業界與學界的管理者、工程師和科學家將會聚集在一起討論納米級CMOS晶體管技術、先進內存、顯示、感測器、微機電系統元件、新穎量子與納米級規模元件、粒子物理學現象、光電工程、
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DRAM GAA-FET
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