gaa-fet 文章 進(jìn)入gaa-fet技術(shù)社區(qū)
用Python自動(dòng)化雙脈沖測試
- 電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過渡到寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能,被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高,SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng),而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說明的是,但雙脈沖測試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性,雙脈沖測試(DPT)已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù),用于測量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測試系統(tǒng)包括示波
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拆解:三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7,繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號(hào)承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處,同時(shí)在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了Galaxy Watch系列的最新款,目前正在對(duì)其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請(qǐng)期待我們對(duì)Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析,我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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拜登政府恐對(duì)中國大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)
- 美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇,傳出美國將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),針對(duì)最新的環(huán)繞閘極場效晶體管(GAA)技術(shù)祭出限制措施,限制其獲取人工智能(AI)芯片技術(shù)的能力,換言之,美國將防堵大陸取得先進(jìn)芯片,擴(kuò)大受管制的范圍。 美國財(cái)經(jīng)媒體引述知情人士消息報(bào)導(dǎo),拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施,以避免大陸能夠提升技術(shù),進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力,有可能限制大陸取得GAA技術(shù),但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說明,且不清楚官員何時(shí)會(huì)宣布新措施。若此事成真,大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù),臺(tái)積電則從2納米
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器
- D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效,從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢,在4Ω負(fù)載時(shí),每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì),其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板,實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高,使
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測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動(dòng)態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進(jìn)入市場,因?yàn)樗梢蕴峁┏jP(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍。然而,電路設(shè)計(jì)人員發(fā)現(xiàn)該器件在實(shí)際電路中使用起來并不那么容易,因?yàn)樗苋菀装l(fā)生振蕩,并且其器件特性很難測量并獲得可重復(fù)的提取。許多設(shè)計(jì)人員在電路中使用大柵極電阻時(shí)必須減慢器件的運(yùn)行速度,這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時(shí)的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導(dǎo)通時(shí)的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET
- 全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產(chǎn)品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無人機(jī)、倉庫自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中,大多都有人類參與其中,因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害,汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求,同時(shí)發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖,重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性,因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管,但又不能直接驅(qū)動(dòng)它,這樣就必須增加一個(gè)柵極
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報(bào)道,三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題,原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷,導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出,由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題,未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃,還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是,Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu),升級(jí)之處在于將采用全新的
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗,Exynos 2500 芯片被打上問號(hào)
- 2 月 2 日消息,根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道,三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題,嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片,均存在缺陷,良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試,導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報(bào)道,Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu),同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)性能
- 中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
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臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利 晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)
- 臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后,研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝,計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備,以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利,最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱,位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程,并正在進(jìn)行無塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作,相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片,中科二期則視需求狀況預(yù)定
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管,實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板,這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板,分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)?三星搶訂單
- 臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭,后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶,但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢,尤其三星至今在3納米方面,依然無法取得頂尖客戶的信任,三星高層也坦言,一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù),三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此,三星也打算透過低價(jià)策略搶市,與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo),三星雖在3納米就開始使用GAA技術(shù),量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月,但在良率與技術(shù)上無法獲得客戶青睞,蘋果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上,臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱,希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)
- 日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識(shí),在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像,以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)(Hitachi High-Tech)GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級(jí)半導(dǎo)體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測,這些半導(dǎo)體器件正變得越來越小型化和復(fù)雜化,并有助
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