gddr5 文章 進(jìn)入gddr5技術(shù)社區(qū)
Intel、AMD推遲支持：DDR5內(nèi)存明年殺到
- 據(jù)外媒報道稱,由于種種原因所致,Intel和AMD兩家要在明年才能拿出支持DDR5內(nèi)存的平臺了。三星方面也已經(jīng)表示,2021年量產(chǎn)DDR5內(nèi)存,并且使用EUV工藝,制作將會在韓國平澤的新工廠進(jìn)行,三星同時宣布第一批采用EUV工藝的DDR4內(nèi)存已經(jīng)出貨了100萬。三星表示EUV技術(shù)減少了光刻中多次曝光的重復(fù)步驟,并提高了光刻的準(zhǔn)確度,從而提高性能、提高產(chǎn)量,并縮短了開發(fā)時間。三星估計,使用EUV工藝生產(chǎn)DDR5內(nèi)存,其12英寸D1a晶圓的生產(chǎn)效率會比舊有的D1x工藝的生產(chǎn)力提升一倍。據(jù)悉,三星第四代10nm
- 關(guān)鍵字： 英特爾 內(nèi)存 GDDR5 DDR5
英偉達(dá)被專利限制 帕斯卡或繼續(xù)用GDDR5
- NVIDIA之前宣稱要在2016年導(dǎo)入新型閃存HBM2，用在繼麥克斯韋之后的“帕斯卡”架構(gòu)上，其容量最高可達(dá)32GB，性能十分強(qiáng)勁。但是AMD先搶得了HBM首發(fā)，AMD的Fury系列是全球第一個配備了HBM高帶寬顯存的顯卡。 HBM雖然不是AMD的發(fā)明，但它已經(jīng)和海力士共同研究了7年之久，特別是主導(dǎo)開發(fā)了關(guān)鍵的2.5D封裝樣式，甚至已經(jīng)就此申請了專利。所以在專利問題上，NVIDIA面臨著不小的麻煩，目前只有兩條路可走：要使用2.5D封裝，那就必
- 關(guān)鍵字： 英偉達(dá) GDDR5
存儲器市場再下一城 三星量產(chǎn)20納米GDDR5
- 三星(Samsung)宣布將以該公司20奈米(nm)先進(jìn)制程，量產(chǎn)業(yè)界首款8Gb第五代繪圖雙倍資料率(GDDR5)動態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)。GDDR5為目前市場上被廣泛采用的獨(dú)立型(Discrete)繪圖記憶體。 三星電子記憶體銷售與行銷執(zhí)行副總裁Joo Sun Choi表示，三星預(yù)期8Gb GDDR5 DRAM可提供原始設(shè)備制造商(OEM)最高效的繪圖記憶體解決方案，并為游戲機(jī)(Game Console)、筆記型電腦及桌上型電腦等裝置提供出色的效能。 Joo Sun Choi進(jìn)一步
- 關(guān)鍵字： 三星 GDDR5 DRAM
三星量產(chǎn)1GB GDDR5：8GB顯存要成標(biāo)配
- 三星電子宣布，已經(jīng)開始在業(yè)內(nèi)率先量產(chǎn)單顆容量8Gb(1GB)的GDDR5顯存，并采用了最新的20nm工藝。與此同時，新顆粒不但比4Gb GDDR5在容量上翻了一番，數(shù)據(jù)傳輸率也從7Gbps提升到了8Gbps，創(chuàng)造了GDDR5顯存的新高度。 這樣的顆粒只需要八顆，就能組成8GB顯存，滿足高端顯卡的需求。 前幾天還說GTX 980受制于顯存技術(shù)無法做到8GB，這下子迎刃而解了。 每顆顆粒的位寬為32-bit，八顆全速運(yùn)行就能提供256-bit位寬、256GB/s帶寬。 雖然說AMD下代顯
- 關(guān)鍵字： 三星 GDDR5 GTX 980
應(yīng)用高帶寬示波器表征GDDR5數(shù)據(jù)抖動，確保有效的數(shù)據(jù)傳輸
- GDDR5（GraphicsDoubleDataRate,圖形雙倍數(shù)據(jù)速率存儲接口，第5版）動態(tài)隨機(jī)存取圖形卡存儲技術(shù)已應(yīng)用于主流移...
- 關(guān)鍵字： 示波器 GDDR5 數(shù)據(jù)抖動 數(shù)據(jù)傳輸
Hynix宣布開發(fā)出首款40nm制程2Gb GDDR5顯存芯片
- Hynix公司近日宣布成功開發(fā)出了業(yè)內(nèi)首款面向PC機(jī)和游戲機(jī)的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產(chǎn)品。Hynix稱這款新開發(fā)出來的GDDR5顯存運(yùn)行頻率可達(dá)7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達(dá) 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產(chǎn)品能耗可下降20%左右。 ? Hynix公司計劃于明年下半年開始量產(chǎn)這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
- 關(guān)鍵字： Hynix 40nm GDDR5 顯存芯片
爾必達(dá)宣布完成首款1Gb GDDR5顯存芯片的研發(fā)
- 三個月前，日本爾必達(dá)公司曾確認(rèn)稱他們從瀕臨倒閉的奇夢達(dá)公司那里得到了其GDDR5顯存芯片的技術(shù)授權(quán)，而本周這家日本公司則正式宣布其首款GDDR顯 存芯片產(chǎn)品已經(jīng)開發(fā)完成，產(chǎn)品代號為EDW1032BABG，這是一款1Gb GDDR5顯存芯片產(chǎn)品，其芯片位寬可按X32或X16進(jìn)行配置，并可達(dá)到6Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速度。 預(yù)計這款1Gb GDDR5顯存芯片將被用于顯卡，游戲機(jī)以及高性能計算產(chǎn)品中。這款GDDR5顯存芯片將于下月開始進(jìn)入試樣階段，并將于明年第二季度開始批量生產(chǎn)。盡管爾必達(dá)并未透露這批
- 關(guān)鍵字： 奇夢達(dá) 顯存芯片 GDDR5
奇夢達(dá)攜手Advantest共同開發(fā)GDDR5測試解決方案
- 奇夢達(dá)攜手Advantest開發(fā)GDDR5（顯示雙數(shù)據(jù)速率5）測試硬件。此次合作旨在開發(fā)適用于GDDR5圖形DRAM（動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的經(jīng)濟(jì)有效的大容量測試解決方案。 GDDR5將成為繼GDDR3之后的下一個主要顯示DRAM標(biāo)準(zhǔn)。GDDR5存儲器性能將超過現(xiàn)有的顯示標(biāo)準(zhǔn)。全新特性和性能將使GDDR5成為適用于未來高性能顯示應(yīng)用（如PC顯卡或游戲控制臺）的理想產(chǎn)品。GDDR5標(biāo)準(zhǔn)目前正在由JEDEC制定。新的I/O標(biāo)準(zhǔn)要成功地進(jìn)入市場需要可制造性的支持，而內(nèi)存測試正是制造的一個主要部分。
- 關(guān)鍵字： Advantest GDDR5 測量 測試 奇夢達(dá) 消費(fèi)電子 消費(fèi)電子
| 共10條 1/1 1 |
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473