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盤點(diǎn)硬盤領(lǐng)域的九大基礎(chǔ)技術(shù)
- 硬盤技術(shù)伴隨著我們走過了幾十年的風(fēng)風(fēng)雨雨。我們?cè)谑褂糜脖P技術(shù)的時(shí)候還有很多不了解的東西，下面就詳細(xì)的介紹硬盤技術(shù)中的主流技術(shù)。希望大家能夠深入了解硬盤技術(shù)?？偟膩碚f，目前硬盤技術(shù)的發(fā)展主要集中在速度、容量及可靠性三方面。Ultra-ATA100/133接口、GMR巨磁阻技術(shù)和S.M.A.R.T自我監(jiān)測(cè)分析和報(bào)告技術(shù)等各項(xiàng)技術(shù)已普遍為各大硬盤制造商所采用，這使得硬盤在傳輸率、單片存儲(chǔ)容量和監(jiān)測(cè)預(yù)告技術(shù)上較以往有了很大提高。
- 關(guān)鍵字： 硬盤技術(shù) GMR S.M.A.R.T
磁傳感技術(shù)市場(chǎng)及應(yīng)用
- 國(guó)內(nèi)磁傳感器廠商主要在做四種磁傳感器，即霍爾效應(yīng)、AMR、GMR和TMR。這四種產(chǎn)品主要分成消費(fèi)類、車載以及工業(yè)和能源三個(gè)大的市場(chǎng)。本文根據(jù)“中國(guó)（上海）國(guó)際傳感器技術(shù)與應(yīng)用研討會(huì)”之“磁傳感技術(shù)及應(yīng)用”研討會(huì)的相關(guān)報(bào)告，介紹了磁傳感器的市場(chǎng)發(fā)展?fàn)顩r，并介紹了新一代傳感器的特性及要求。
- 關(guān)鍵字： 傳感器廠商 霍爾效應(yīng) AMR GMR TMR 201611
GMR生物傳感器的原理及研究現(xiàn)狀
- 1 引言 1988年，在法國(guó)巴黎大學(xué)物理系Fert教授科研組工作的巴西學(xué)者M(jìn).N.Baibich研究Fe/Cr磁性超晶格薄膜的電子輸運(yùn)性質(zhì)時(shí)發(fā)現(xiàn)了巨磁阻(GMR)效應(yīng)，即材料的電阻率隨著材料磁化狀態(tài)的變化而呈現(xiàn)顯著改變的現(xiàn)象。這一發(fā)現(xiàn)引起了許多國(guó)家科學(xué)家的關(guān)注，巨磁電阻效應(yīng)及其材料的基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究迅速成為人們關(guān)注的熱點(diǎn)。自此以后，10多年來，巨磁電阻效應(yīng)的研究發(fā)展非常迅速，并且基礎(chǔ)研究和應(yīng)用研究幾乎齊頭并進(jìn)，已成為基礎(chǔ)研究快速轉(zhuǎn)化為商業(yè)應(yīng)用的國(guó)際典范。目前，GMR材料已在磁傳感器、計(jì)算機(jī)讀出
- 關(guān)鍵字： GMR
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gmr介紹
GMR(Giant Magneto Resistive,巨磁阻):比AMR技術(shù)磁頭靈敏度高2倍以上,GMR磁頭是由4層導(dǎo)電材料和磁性材料薄膜構(gòu)成的:一個(gè)傳感層、一個(gè)非導(dǎo)電中介層、一個(gè)磁性的栓層和一個(gè)交換層.前3個(gè)層控制著磁頭的電阻。在栓層中,磁場(chǎng)強(qiáng)度是固定的,并且磁場(chǎng)方向被相臨的交換層所保持。而且自由層的磁場(chǎng)強(qiáng)度和方向則是隨著轉(zhuǎn)到磁頭下面的磁盤表面的微小磁化區(qū)所改變的,這種磁場(chǎng)強(qiáng)度和方向的變化 [ 查看詳細(xì) ]
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