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英特爾Haswell提升電池壽命和繪圖效能
- 在2012 IDF上，英特爾(Intel)介紹了首款采用其22nm三閘極(tri-gate)電晶體制程的嶄新架構(gòu)──新一代處理器Haswell，強(qiáng)調(diào)可強(qiáng)化電池使用壽命和繪圖效能。 英特爾架構(gòu)部門總經(jīng)理Dadi Perlmutter表示，雙核心和四核心的客戶端版本Haswell 將在今年四月隨PC出貨。他指出，該晶片的早期版本在一款原型系統(tǒng)上執(zhí)行時(shí)，功耗便已低于8W，遠(yuǎn)低于英特爾現(xiàn)有Sandy Bridge 處理器的17W。 Linley Group公司資深分析師兼《微處理器報(bào)告
- 關(guān)鍵字： 英特爾 Haswel
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