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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時微電子研究中心(imec),在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾(ASML)合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光(high-NA EUV)微影實驗室中,利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機,發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后,9納米和5納米(間距19納米)的隨機邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征,以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)專用布局全部成功成形,采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果,imec證實該微影技術(shù)的生態(tài)系
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價值3.83億美元!Intel拿下全球第二臺High NA EUV光刻機
- 8月6日消息,在近日的財報電話會議上,Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺價值3.83億美元的High NA EUV(極紫外光刻機)。High NA EUV光刻機是目前世界上最先進的芯片制造設(shè)備之一,其分辨率達到8納米,能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能,是實現(xiàn)2nm以下先進制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示,第二臺High NA設(shè)備即將進入Intel位于美國俄勒岡州的晶圓廠,預(yù)計將支持公司新一代更強大的計算機芯片的生產(chǎn)。此前,Intel已于去年12月接收了全球首臺High NA EUV光刻
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ASML第二臺High-NA設(shè)備,即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺耗資3.5億歐元(約3.83億美元)的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財報電話會議紀(jì)錄,CEO Pat Gelsinger表示,英特爾12月開始接收第一臺大型設(shè)備,安裝時間需要數(shù)月,預(yù)計可帶來新一代更強大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出,第二臺High NA設(shè)備即將進入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財報會議后股價表現(xiàn)不佳,因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示,該公司已開始出貨第二臺High NA設(shè)備給一位未具名客戶,今年只記錄第一臺的收入。不過
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臺積電CEO秘訪ASML,High-NA EUV光刻機競賽提前打響?
- 5月26日,臺積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺北站”的活動,臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席,原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部,以及位于德國迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品,包括High-NA EUV設(shè)備將如何實現(xiàn)未來
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High-NA EUV光刻機入場,究竟有多強?
- 光刻機一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機(DUV)起步,其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ);再到后來的極紫外光刻機(EUV)以其獨特的極紫外光源和更短的波長,成功將光刻精度推向了新的高度;再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(High-NA)正式登上歷史舞臺,進一步提升了光刻的精度和效率,為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示,其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發(fā),將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機引入部分 High-NA 機型技術(shù)
- 3 月 27 日消息,據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報道,ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術(shù),運行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報道,NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝,可實現(xiàn) 195 片晶圓的每小時吞吐量,相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA(高數(shù)值孔徑) EUV 采用了更寬的光錐,這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬,會導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機?
- HIGH NA 無疑是打贏下一場比賽的重要籌碼。
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英特爾拿下首套High-NA EUV,臺積電如何應(yīng)對?
- 英特爾(intel)近日宣布,已經(jīng)接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑(High-NA)的ASML極紫外(EUV)光刻機,預(yù)計在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點。 相較之下,臺積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略,業(yè)界預(yù)計臺積電可能要到A1.4制程,或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出,至少在初期,High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV,這也是臺積電暫時觀望的原因,臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù),以確保產(chǎn)品競爭力。Hig
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制,DRAM的性能被要求不斷提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù),并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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Derive simple high-current source from lab sup
- Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
- 關(guān)鍵字: high-current Derive simple source
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