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imec采用High-NA EUV技術(shù) 展示邏輯與DRAM架構(gòu)
- 比利時(shí)微電子研究中心（imec），在荷蘭費(fèi)爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實(shí)驗(yàn)室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機(jī)，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結(jié)構(gòu)。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機(jī)邏輯結(jié)構(gòu)、中心間距為30納米的隨機(jī)通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進(jìn)圖形化研究計(jì)劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實(shí)該微影技術(shù)的生態(tài)系
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價(jià)值3.83億美元！Intel拿下全球第二臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)
- 8月6日消息，在近日的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上，Intel CEO宣布已成功接收全球第二臺(tái)價(jià)值3.83億美元的High NA EUV（極紫外光刻機(jī)）。High NA EUV光刻機(jī)是目前世界上最先進(jìn)的芯片制造設(shè)備之一，其分辨率達(dá)到8納米，能夠顯著提升芯片的晶體管密度和性能，是實(shí)現(xiàn)2nm以下先進(jìn)制程大規(guī)模量產(chǎn)的必備武器。帕特·基辛格表示，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入Intel位于美國(guó)俄勒岡州的晶圓廠，預(yù)計(jì)將支持公司新一代更強(qiáng)大的計(jì)算機(jī)芯片的生產(chǎn)。此前，Intel已于去年12月接收了全球首臺(tái)High NA EUV光刻
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ASML第二臺(tái)High-NA設(shè)備，即將導(dǎo)入英特爾奧勒岡廠
- 英特爾正接收ASML第二臺(tái)耗資3.5億歐元（約3.83億美元）的新High NA EUV設(shè)備。根據(jù)英特爾8/1財(cái)報(bào)電話會(huì)議紀(jì)錄，CEO Pat Gelsinger表示，英特爾12月開始接收第一臺(tái)大型設(shè)備，安裝時(shí)間需要數(shù)月，預(yù)計(jì)可帶來新一代更強(qiáng)大的電腦英文。Gelsinger在電話中指出，第二臺(tái)High NA設(shè)備即將進(jìn)入在奧勒岡州的廠房。由于英特爾財(cái)報(bào)會(huì)議后股價(jià)表現(xiàn)不佳，因此這番話并未引起注意。ASML高階主管7月曾表示，該公司已開始出貨第二臺(tái)High NA設(shè)備給一位未具名客戶，今年只記錄第一臺(tái)的收入。不過
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臺(tái)積電CEO秘訪ASML，High-NA EUV光刻機(jī)競(jìng)賽提前打響？
- 5月26日，臺(tái)積電舉辦“2024年技術(shù)論壇臺(tái)北站”的活動(dòng)，臺(tái)積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國(guó)迪琴根的工業(yè)激光專業(yè)公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設(shè)備供應(yīng)商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術(shù)和新產(chǎn)品，包括High-NA EUV設(shè)備將如何實(shí)現(xiàn)未來
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High-NA EUV光刻機(jī)入場(chǎng)，究竟有多強(qiáng)？
- 光刻機(jī)一直是半導(dǎo)體領(lǐng)域的一個(gè)熱門話題。從早期的深紫外光刻機(jī)（DUV）起步，其穩(wěn)定可靠的性能為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)；再到后來的極紫外光刻機(jī)（EUV）以其獨(dú)特的極紫外光源和更短的波長(zhǎng)，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數(shù)值孔徑光刻機(jī)（High-NA）正式登上歷史舞臺(tái)，進(jìn)一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網(wǎng)顯示，其組裝了兩個(gè) TWINSCAN EXE:5000 高數(shù)值孔徑光刻系統(tǒng)。其中一個(gè)由 ASM 與 imec 合作開發(fā)，將于 2024 年安裝在 A
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ASML 新款 NXE:3800E EUV 光刻機(jī)引入部分 High-NA 機(jī)型技術(shù)
- 3 月 27 日消息，據(jù)荷蘭媒體 Bits&Chips 報(bào)道，ASML 官方確認(rèn)新款 0.33NA EUV 光刻機(jī) ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機(jī)的技術(shù)，運(yùn)行效率得以提升。根據(jù)IT之家之前報(bào)道，NXE:3800E 光刻機(jī)已于本月完成安裝，可實(shí)現(xiàn) 195 片晶圓的每小時(shí)吞吐量，相較以往機(jī)型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術(shù) High-NA（高數(shù)值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會(huì)導(dǎo)致影響晶圓吞吐量的光損失。
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英特爾是否正在壟斷ASML HIGH NA光刻機(jī)？
- HIGH NA 無疑是打贏下一場(chǎng)比賽的重要籌碼。
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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺(tái)積電如何應(yīng)對(duì)？
- 英特爾（intel）近日宣布，已經(jīng)接收市場(chǎng)首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機(jī)，預(yù)計(jì)在未來兩到三年內(nèi)用于 intel 18A 工藝技術(shù)之后的制程節(jié)點(diǎn)。 相較之下，臺(tái)積電則采取更加謹(jǐn)慎的策略，業(yè)界預(yù)計(jì)臺(tái)積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會(huì)采用High-NA EUV光刻機(jī)。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺(tái)積電暫時(shí)觀望的原因，臺(tái)積電更傾向于采用成本更低的成熟技術(shù)，以確保產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。Hig
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基于ST VIPerPlus Low EMI 的豆?jié){機(jī)輔助電源方案
- 一：項(xiàng)目背景：家電客戶使用VIPer12做的6W輔助電源在EMI的傳導(dǎo)測(cè)試中，低頻段超標(biāo)需要整改。因成本和PCB空間原因不能加前端EMI濾波電感。需要采用VIPerPlus的頻率抖動(dòng)特性解決問題。二：頻率抖動(dòng)基本原理開關(guān)電源由于較高的dv/dt 和di/dt堯電路中存在的寄生電感和電容使開關(guān)電源的電磁干擾噪聲較難消除。一般在EMI測(cè)試結(jié)果中可以發(fā)現(xiàn)，開關(guān)電源在開關(guān)時(shí)刻通常容易超過EMI 限值，而在其它頻率點(diǎn)上卻往往具有較大的裕量。因此人們又從另一角度開發(fā)新的EMC 技術(shù)院如何通過各種方式降低開關(guān)時(shí)刻的EM
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革
- 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對(duì)HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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