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東芝電子亮相PCIM Asia 2018，為客戶提供全方位系統(tǒng)級(jí)解決方案
- 東芝電子(中國(guó))有限公司(以下簡(jiǎn)稱“東芝”)宣布，將參加2018年6月26日至28日于上海世博展覽館舉辦的上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(PCIM Asia 2018)，本次展會(huì)上東芝將在2號(hào)館E01展位向現(xiàn)場(chǎng)觀眾展示其面向電力能源方面提供的尖端技術(shù)、產(chǎn)品以及系統(tǒng)級(jí)解決方案。 日前，國(guó)際能源署及聯(lián)合國(guó)聯(lián)合發(fā)布的《追蹤可持續(xù)發(fā)展目標(biāo)七：能源進(jìn)展情況報(bào)告》中提及，中國(guó)對(duì)全球能耗降低做出了最大貢獻(xiàn)，貢獻(xiàn)率超過(guò)35%，作為可再生、無(wú)污染的清潔能源，中國(guó)的風(fēng)能、太陽(yáng)能資源非常豐富，得益于中國(guó)政府采取的
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東芝2016媒體沙龍舉辦，在華產(chǎn)品重點(diǎn)一目了然
- “東芝媒體沙龍”今天在京舉行。東芝電子(中國(guó))公司三大業(yè)務(wù)部門(mén)介紹了其優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品及在華戰(zhàn)略。 閃存：看好工業(yè)和汽車(chē)，明年量產(chǎn)64層3D NAND Flash 存儲(chǔ)業(yè)務(wù)市場(chǎng)部高級(jí)經(jīng)理張會(huì)波稱，閃存中工業(yè)和汽車(chē)類增長(zhǎng)很快。過(guò)去東芝主要面向手機(jī)和SSD卡，今后將轉(zhuǎn)型，在工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域發(fā)力。 隨著芯片制程工藝接近極限，下一代主攻3D。很多人誤解，認(rèn)為東芝在3D方面走得較慢，實(shí)際上，東芝希望技術(shù)路線走得更加穩(wěn)妥、保守，盡管東芝有32層產(chǎn)品，但主打48層3D NAND，
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IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車(chē)牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車(chē)等工業(yè)領(lǐng)域，這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來(lái)越高?！ |芝是全球第一個(gè)商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家，率先導(dǎo)入了“門(mén)級(jí)注入增強(qiáng)”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗，用該技術(shù)注冊(cè)了東芝大功率IGBT的專用商標(biāo)---“IEGT”。 東芝電子(中國(guó))公司副董事長(zhǎng)野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過(guò)使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
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東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品?！ ≌故井a(chǎn)品簡(jiǎn)介: 1. IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) 東芝在IGBT的基礎(chǔ)上成功研發(fā)出“注入增強(qiáng)”(IE：Inject
- 關(guān)鍵字： 東芝 IEGT SiC
東芝電子攜多款功率器件產(chǎn)品參加PCIM 2014
- 日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，將參加在上海舉行的“上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)”(PCIM Asia 2014 )。本次展會(huì)于2014年6月17日至19日在上海世博展覽館拉開(kāi)帷幕，東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司此次將展示其最新的、應(yīng)用在電力領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品。 東芝電子將展出其IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)專利產(chǎn)品、Stack(壓接裝置)產(chǎn)品、SiC(混合型IEGT)產(chǎn)品、IPD +
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iegt介紹
IEGT(Injection Enhanced Gate Transistor)是耐壓達(dá)4KV以上的IGBT系列電力電子器件，通過(guò)采取增強(qiáng)注入的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)了低通態(tài)電壓，使大容量電力電子器件取得了飛躍性的發(fā)展。 IEGT具有作為MOS系列電力電子器件的潛在發(fā)展前景，具有低損耗、高速動(dòng)作、高耐壓、有源柵驅(qū)動(dòng)智能化等特點(diǎn)，以及采用溝槽結(jié)構(gòu)和多芯片并聯(lián)而自均流的特性，使其在進(jìn)一步擴(kuò)大電流容量方面頗具潛力 [ 查看詳細(xì) ]
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