3. 

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          <label id="pryje"></label>
          





	
          	
		
          		
			
          	
			
				
				
          
					
          
						
          IGBT是什么？
          
						
					
          
					
          
						
						
						

          IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
          


          如圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附于其上的電極稱為源極（即發射極E）。P+區稱為漏區。器件的控制區為柵區，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩極之間的P型區（包括P+和P-區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（Subchannel region）。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區（Drain injector），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調制，以降低器件的通態電壓。附于漏注入區上的電極稱為漏極（即集電極C）。
          

          IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。
          


								
					
          
				
          
				
				
				
          
					
          
						
          IGBT是什么
          
						
					
          									
					
          						
						
          	
				
						
						
          
					
          
				
          
															
				
			
				
				
          
					
          
						
          IGBT學習與討論
          
						
					
          									
					
          						
						
          	
					
          
				
          					
								
				
				
          
					
          
						
          IGBT電路圖
          
						
					
          
									
					
          						
						
          						

						
					
						
          
					
          
				
          
			
				
				
				
				
				
          
					
          
						
          IGBT應用方案
          
						
					
          
									
					
          						
						
          	
									

						
						
          
					
          
				
          
			
				
				
          
					
          
						
          IGBT資料下載
          
						
					
          
									
					
          						
						
          	
									
						
						
						
          
					
          
				
          
			
			
			
				

				
				
				
				
						
				
								
            
          
			
			
			
			
          		
			
			
          
	
          
		
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          42# EEPW網友 說：2018-09-26 16:40
          
					
          真牛逼
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          41# EEPW網友 說：2017-04-04 22:02
          
					
          一般的igbt的開通和關斷時間是多長呢
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          40# 廣州華工科技 說：2016-10-21 16:38
          
					
          富士IGBT模塊中國總代理,廣州華工科技開發有限公司，? 歡迎咨詢020-85511281  李生
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          39# EEPW網友 說：2016-07-13 14:15
          
					
          全
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          38# EEPW網友 說：2016-07-13 14:12
          
					
          贊
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          37# EEPW網友 說：2016-07-13 14:12
          
					
          是大幅度發
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          36# EEPW網友 說：2016-07-13 14:08
          
					
          富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發有限公司，歡迎咨詢020-85511281 李生
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          35# EEPW網友 說：2016-07-13 14:08
          
					
          富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發有限公司，歡迎咨詢020-85511281 李生
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          34# EEPW網友 說：2016-07-13 14:08
          
					
          富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發有限公司，歡迎咨詢020-85511281 李生 www.scut-co.com
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          33# EEPW網友 說：2015-12-23 14:50
          
					
          大聯大品佳-英飛凌一級代理  劉志平 QQ：185609588/Tel:18521067611
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          32# EEPW網友 說：2014-09-03 17:43
          
					
          請問汽車級IGBT國際知名生產企業都有哪些？有知道的麻煩給說一下，謝謝！
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          31# 云端 說：2014-07-21 06:57
          
					
          IGBT 管的好壞可以用萬用表來測量嗎？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          30# soothmusic 說：2014-07-20 06:13
          
					
          回答29# wyf86：
          
這個問題很難回答，有的30年以上
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          29# wyf86 說：2014-07-19 22:20
          
					
          IGBT的壽命一般多長？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          28# EEPW521 說：2014-06-20 07:06
          
					
          回答27# eepwlover：
          
是的，設計的時候多注意。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          27# eepwlover 說：2014-06-19 22:23
          
					
          變頻器工作時，IGBT的開關動作會產生高頻干擾信號?
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          26# EEPW521 說：2014-06-18 22:10
          
					
          回答25# eepwlover：
          
新能源汽車
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          25# eepwlover 說：2014-06-17 21:37
          
					
          大功率IGBT的主要驅動力是什么？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          24# 活詞典 說：2014-05-19 21:39
          
					
          當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態電壓。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          23# EEPW網友 說：2014-04-21 16:08
          
					
          基于icepak的igbt溫度場仿真應該采用哪種igbt？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          22# wyf86 說：2014-04-15 22:43
          
					
          回答21# soothmusic：
          
通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          21# soothmusic 說：2014-04-14 22:36
          
					
          IGBT的開關作用是什么
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          20# EEPW網友 說：2014-04-13 00:15
          
					
          很希望有IGBT的工藝流程
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          19# EEPW網友 說：2014-03-13 14:42
          
					
          跪求適合傳熱分析的簡單的IGBT的模型？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          18# wyf86 說：2014-03-12 20:10
          
					
          IGBT在關閉期間仍承受著高電壓，且帶有殘余電流，滋生不小的開關損耗。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          17# EEPW網友 說：2014-03-04 13:39
          
					
          基于有緣柵極控制的IGBT，其實IGBT就是柵極控制吧？沒什么特別含義吧？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          16# wyf86 說：2014-02-17 21:48
          
					
          回答15# soothmusic：
          
輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs 的關系曲線
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          15# EEPW網友 說：2014-02-16 21:42
          
					
          什么是IGBT的轉移特性？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          14# 云端 說：2014-01-16 21:42
          
					
          回答13# wyf86：
          
電流過大是一個原因
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          13# wyf86 說：2014-01-15 22:12
          
					
          IGBT失效的原因是什么？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          12# wyf86 說：2013-11-07 21:16
          
					
          回答11# soothmusic：
          
可使用MOSFET驅動技術進行觸發
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          11# soothmusic 說：2013-11-06 21:54
          
					
          IGBT柵極/發射極阻抗大，應該怎么觸發？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          10# 活詞典 說：2013-10-05 22:31
          
					
          回答9# 云端：
          
也就是IGBT的開關特性，等效電路為達林頓結構。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          9# 云端 說：2013-10-04 21:13
          
					
          IGBT漏源電壓與漏極電流的關系是怎樣的？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          8# soothmusic 說：2013-09-30 21:54
          
					
          回答7# eepwlover：
          
簡單來說，就是柵源電壓Ugs與輸出漏極電流Id 的關系曲線。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          7# eepwlover 說：2013-09-29 22:34
          
					
          IGBT的轉移特性是什么？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          6# 活詞典 說：2013-09-28 22:21
          
					
          回答5# 云端：
          
Ugs 越高， Id 越大。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          5# 云端 說：2013-09-27 23:36
          
					
          選型IGBT，可以參考伏安特性曲線，Ugs與Id的關系是什么樣的？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          4# soothmusic 說：2013-09-25 22:06
          
					
          回答3# eepwlover：
          
它們都有高輸入阻抗特性。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          3# eepwlover 說：2013-09-24 21:59
          
					
          IGBT的輸入阻抗特性，與MOSFET一樣嗎？
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          2# liyidong 說：2013-09-23 13:01
          
					
          IGBT的飽和壓降低，適合應用在高壓大電流的場合，但是其工作頻率比MOSFET低。
          
														
				
          
				
          
												
          
					
          1# 云端 說：2013-09-22 21:35
          
					
          大功率開關電源中，使用IGBT作為開關管，比MOSFET好在哪里？
          
											
          EEPW521回答:2013-09-23
          
						
          IGBT的飽和壓低，且驅動功率小。MOSFET載流密度小些，導通壓降較大，開關速度要快，驅動功率卻很小。

          
														
				
          
				
          
												
          
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