EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
igbtmosfet器件隔離驅(qū)
igbtmosfet器件隔離驅(qū) 文章 進(jìn)入igbtmosfet器件隔離驅(qū)技術(shù)社區(qū)
常用IGBT及MOSFET器件隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯總
- MOSFET以及IGBT絕緣柵雙極性大功率管等器件的源極和柵極之間是絕緣的二氧化硅結(jié)構(gòu)，直流電不能通過(guò)，因而低頻的表態(tài)驅(qū)動(dòng)功率接近于零。但是柵極和源極之間構(gòu)成了一個(gè)柵極電容Cgs，因而在高頻率的交替開(kāi)通和需要關(guān)斷時(shí)...
- 關(guān)鍵字： IGBTMOSFET器件隔離驅(qū)
| 共1條 1/1 1 |
igbtmosfet器件隔離驅(qū)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條igbtmosfet器件隔離驅(qū)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)igbtmosfet器件隔離驅(qū)的理解，并與今后在此搜索igbtmosfet器件隔離驅(qū)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)igbtmosfet器件隔離驅(qū)的理解，并與今后在此搜索igbtmosfet器件隔離驅(qū)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473