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超高壓 SiC 與超共源共柵

新應用不斷涌現(xiàn)，這就需要有高壓開關技術，而且與硅 IGBT 和 IGCT 技術相比，該技術的系統(tǒng)平衡成本和運行損耗要顯著降低。該技術的應用范圍非常廣，從固態(tài)變壓器、中壓電機驅(qū)動器到智能電網(wǎng)應用（FACTS、STATCOM）和高壓直流斷路器均包含在內(nèi)。SiC MOSFET 被認為是在不久的將來顛覆這一領域的絕佳選擇，UnitedSiC 提供了獨特的方法來加速采用基于寬帶隙的高壓開關。這種方法被稱為超共源共柵 (Supercascode)。我們將這種方法及其已證明的性能與硅技術和 SiC MOSFET&nbs
關鍵字：硅 IGCT

IGBT與IGCT、IEGT在輕型直流輸電領域的應用對比

IGBT與集成門極換流晶閘管IGCT對比受當前技術水平限制，IGBT的工作電流相對較小，比較常用的中高壓大功率IGBT有...
關鍵字： IGBT IGCT IEGT

一種用IGCT實現(xiàn)高壓大功率變頻器的方法

1 引言　　目前，高壓大功率變頻器是一個十分重要的應用領域。而基于igbt的變頻器其功率等級最大多在5000kw左右，功率在10000kw及以上的高壓變頻器用igbt就難以實現(xiàn)。目前，abb等國際大公司均推出了基于igct的三電平
關鍵字：變頻器方法大功率高壓實現(xiàn) IGCT

基于IGCT的0.1Hz高壓實驗電源的研究

隨著國民經(jīng)濟的發(fā)展，城市供電中越來越多的運用交聯(lián)聚乙烯（XLPE）電纜來代替原有的架空線，以節(jié)省空間并減少電磁噪聲的污染。
關鍵字：電源研究實驗高壓 IGCT 0.1Hz 基于

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igct介紹

集成柵極換流晶閘管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)是1996年問世的用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導體器件。IGCT是一種基于GTO結構、利用集成柵極結構進行柵極硬驅(qū)動、采用緩沖層結構及陽極透明發(fā)射極技術的新型大功率半導體開關器件，具有晶閘管的通態(tài)特性及晶體管的開關特性。由于采用了緩沖結構以及淺層發(fā)射極技術，因而使動態(tài)損耗降低了約50 [ 查看詳細 ]

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