美國國家可再生能源實驗室宣布，科學家們生產出了一種六結太陽能電池，在集中照明下測得的效率為47.1%，從而創造了新的世界紀錄。
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美國 太陽能電池 III-V材料
Imagination Technologies 宣布，該公司的64位MIPS架構已獲得面向下一代企業、數據中心與服務提供商基礎架構等應用的Cavium新款低功耗OCTEONreg; II
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MIPS OCTEON III Cavium
使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配器電路該電源為12V、1A輸出的寬電壓輸入反激式轉換器，采用了TinySwitch-III系列中的TNY278P器件。由于很多功能已經集成在器件內部，因此僅需要31個直插式元件（無表面...
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TinySwitch-III 寬電壓輸入 恒壓適配
Cypress公司的CY7C603xx系列是低壓enCoRe III PSoC器件，采用功能強大的哈佛架構，M8C處理器的速度高達12MHz，工作電壓2.4V～3.6V,具有可配置的外設如8位定時器,計數器和PWM,，全雙工主或從SPI，10位ADC，8位SAR ADC
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enCoRe III CY
μC／OS―III為縮短中斷關閉時間作出的改進,摘要：本文介紹了實時內核的中斷機制，研究了mu;C／OS—III為縮短中斷關閉時間做出的改進。通過對比mu;C／OS—II以及mu;C／OS—III的中斷管理辦法，分析mu;C／OS—III在哪些方面作出了改進。
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μC／OS―III 實時內核 臨界區 中斷管理
Imagination Technologies 宣布，該公司的64位MIPS架構已獲得面向下一代企業、數據中心與服務提供商基礎架構等應用的Cavium新款低功耗OCTEON® III SoC處理器
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MIPS OCTEON III Cavium
比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發現了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。
目前大多數的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規則。
此外，Imec最近發現，透過使用通道中的III-V材
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Imec III-V
1 什么是實時操作系統?
實時操作系統是確定的，意思是指系統需要在明確的截止時間內做出響應。這種確定性很重要，其原因有多種，例如，如果最終應用正在監控工業流程，那么必須在特定時段內對事件做出響應，工業控制系統就屬于這類情況。
可根據滿足截止時間的能力對RTOS進一步分類為三種不同類型的RTOS，每種類型都以不同方式滿足截止時間。在hard RTOS中，錯過截止時間被視為系統錯誤。而對于firm RTOS就不是這樣，偶爾錯過截止時間是可以接受的。在soft RTOS中，錯過一次截止時間會減少
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RTOS SDK 信號量 Zynq μC/OS-III
μC/OS-III相比于μC/OS-II做了很多的改進，是一款全新的內核，在效率方面有了很大提升，并且支持任務的時間片輪轉調度，摒棄了一些不必要的內容，如消息郵箱，對于熟悉μC/OS-II的工程師來說，上手μC/OS-III還是比較容易的，先來了解一下μC/OS-III做了哪些具體的改進。
一、時鐘節拍的改進
在RTOS中,任務可通過調用延時函數(如OSTimeDly( )函數)將自己延時掛起一段時間，任務在延時的過程中會釋放CPU,延時的任務不占用寶貴的CP
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RTOS μC/OS-III μC/OS-II
電動軌道車控制系統一般分為多個子系統，子系統受一個主控器控制。這樣的結構設計繁瑣，編程復雜。采用μC/OS-III操作系統、STM32F103RC微控制器、12864液晶屏、PVC按鍵、無線串口模塊、鋰電池等實現具有人機界面、無線串口功能的總線主控器。該控制器具有人機界面、軌道車主控器、遙控接收器、遙控面板等多種功能，并且能在不同項目中使用。(※ μC/OS-III從官網上下載，文件名為Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-III,版本為V1.29.01.00。)
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μC/OS-III STM32 12864
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。
在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
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III-V族 MOSFET
為電信網、企業網和物聯網(IoT)網絡提供先進芯片解決方案的領先供應商Vitesse Semiconductor公司(納斯達克股票代碼：VTSS)日前宣布：推出其最新一代的SparX-III?以太網交換芯片，包括VSC7420-04、VSC7421-04和VSC7422-04 等，它們專門為包括樓宇自動化、制造自動化、智能化交通、智能能源以及視頻監控/安防等工業物聯網應用而優化。通過Vitesse全新的SparX-III系列、一攬子以太網硬件和軟件參考系統以及原始設計制造商模型，用戶可將其產品上市時間
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Vitesse IoT SparX-III
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