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          打破索尼壟斷!晶合集成1.8億像素相機全畫幅CMOS成功試產(chǎn):業(yè)內(nèi)首顆

          • 8月19日消息,今日,晶合集成宣布與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆1.8億像素全畫幅(2.77英寸)CMOS圖像傳感器(以下簡稱CIS),為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇。據(jù)了解,晶合集成基于自主研發(fā)的55納米工藝平臺,與思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限。同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依然保證電學性能和光學性能的連貫一致。晶合集成表示,首顆1.8億像素全畫幅CIS的成功試產(chǎn),既標志著光刻拼接技術(shù)在
          • 關(guān)鍵字: CMOS  晶合  圖像傳感器  索尼  

          業(yè)內(nèi)首顆!國產(chǎn) 1.8 億像素相機全畫幅 CMOS 圖像傳感器成功試產(chǎn)

          • 8 月 19 日消息,晶合集成今日官宣,該公司與思特威聯(lián)合推出業(yè)內(nèi)首顆 1.8 億像素全畫幅(2.77 英寸)CIS(CMOS 圖像傳感器),為高端單反相機應(yīng)用圖像傳感器提供更多選擇?!?產(chǎn)品圖,圖源晶合集成,下同據(jù)介紹,為滿足 8K 高清化的產(chǎn)業(yè)要求,高性能 CIS 的需求與日俱增。晶合集成基于自主研發(fā)的 55 納米工藝平臺,攜手思特威共同開發(fā)光刻拼接技術(shù),克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困難,成功突破了在單個芯片尺寸上,所能覆蓋一個常規(guī)光罩的極限,同時確保在納米級的制造工藝中,拼接后的芯片依
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  CIS  

          使用先進的SPICE模型表征NMOS晶體管

          • 為特定CMOS工藝節(jié)點設(shè)計的SPICE模型可以增強集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章,但如果我們的主要目標是準確模擬集成電路MOSFET的電學行為,那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中,我將介紹下載用于IC設(shè)計的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后,我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進
          • 關(guān)鍵字: CMOS,MOSFET  晶體管,Spice模型  

          CMOS反相器開關(guān)功耗的仿真

          • 當CMOS反相器切換邏輯狀態(tài)時,由于其充電和放電電流而消耗功率。了解如何在LTspice中模擬這些電流。本系列的第一篇文章解釋了CMOS反相器中兩大類功耗:動態(tài),當反相器從一種邏輯狀態(tài)變?yōu)榱硪环N時發(fā)生。靜態(tài),由穩(wěn)態(tài)運行期間流動的泄漏電流引起。我們不再進一步討論靜態(tài)功耗。相反,本文和下一篇文章將介紹SPICE仿真,以幫助您更徹底地了解逆變器的不同類型的動態(tài)功耗。本文關(guān)注的是開關(guān)功率——當輸出電壓變化時,由于電容充電和放電而消耗的功率。LTspice逆變器的實現(xiàn)圖1顯示了我們將要使用的基本LTspice逆變器
          • 關(guān)鍵字: CMOS,反相器,功耗  仿真,LTspice  

          CMOS反相器的功耗

          • 本文解釋了CMOS反相器電路中的動態(tài)和靜態(tài)功耗。為集成電路提供基本功能的CMOS反相器的發(fā)展是技術(shù)史上的一個轉(zhuǎn)折點。這種邏輯電路突出了使CMOS特別適合高密度、高性能數(shù)字系統(tǒng)的電氣特性。CMOS的一個優(yōu)點是它的效率。CMOS邏輯只有在改變狀態(tài)時才需要電流——簡單地保持邏輯高或邏輯低電壓的CMOS電路消耗的功率非常小。一般來說,低功耗是一個理想的功能,當你試圖將盡可能多的晶體管功能封裝在一個小空間中時,這尤其有益。正如計算機CPU愛好者提醒我們的那樣,充分去除集成電路中的熱量可能很困難。如果沒有CMOS反相
          • 關(guān)鍵字: CMOS,反相器,功耗  

          Teledyne e2v宣布擴展其Flash CMOS圖像傳感器系列

          • Teledyne Technologies[紐交所代碼:TDY]旗下公司、全球成像解決方案創(chuàng)新者Teledyne e2v宣布擴展其Flash? CMOS圖像傳感器系列,推出Flash 2K LSA,該產(chǎn)品專門適用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光輪廓應(yīng)用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS圖像傳感器專為三維激光輪廓/位移應(yīng)用和高速/高分辨率檢測量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K傳感器的衍生產(chǎn)品,適用于需要大沙伊姆弗勒角度的應(yīng)用,其角度響應(yīng)在30°角度下為四倍以上,在
          • 關(guān)鍵字: CMOS  圖像傳感器  Flash  

          TTL與CMOS,很基礎(chǔ)但很多人不知道

          • 問題引入在工作中,會遇到OC門與OD門的稱謂。而感性的認識一般為:OD門是采用MOS管搭建的電路,壓(電壓)控元器件。OC門是采用晶體管搭建的電路,流(電流)控元器件。而OD門的功率損耗一般是小于OC門,為什么?電平TTL電平:輸出電平:高電平Uoh >=2.4v 低電平Uol <= 0.4v輸入電平:高電平Uih >= 2.0v 低電平 Uil <= 0.8vCMOS電平:輸出電平:高電平Uoh ≈ VCC Uol ≈ GND輸入電平:高電平Uih >= 0.7*VCC U
          • 關(guān)鍵字: TTL電路  CMOS  

          CMOS傳感器+高級色彩算法,快準穩(wěn)捕獲色彩

          • 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現(xiàn)在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產(chǎn)品進行全檢,檢測結(jié)果更為客觀、更準確。無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節(jié)都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應(yīng)對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結(jié)合,并具備:色彩校正矩陣,用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn);高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對比度;靈活多變的自定義觸發(fā)設(shè)置,準確觸發(fā)
          • 關(guān)鍵字: 傳感器  色彩  CMOS  

          CMOS傳感器+高級色彩算法,快準穩(wěn)捕獲一致色彩

          • 用機器視覺代替人眼來判別顏色之間的差異,實現(xiàn)在線檢測,大大提高了檢測效率,同時對產(chǎn)品進行全檢,檢測結(jié)果更為客觀、更準確。問:無論是分撿水果和蔬菜還是檢查運動鞋,在保證可靠性的前提下高速捕獲準確的色彩和豐富的細節(jié)都要求相機具備某些特征。那么,相機廠商該如何應(yīng)對這些需求提出的挑戰(zhàn)呢?答:Blackfly S和Oryx將新的CMOS傳感器及高級色彩算法完美結(jié)合,并具備:? 色彩校正矩陣,用于實現(xiàn)在任一照明條件下的精確色彩再現(xiàn)? 高質(zhì)量圖像,卓越的靈敏度和動態(tài)范圍,能夠較大限度提升圖像對比度?
          • 關(guān)鍵字: CMOS  傳感器  色彩算法  

          CMOS 2.0 革命

          • 受到威脅的不是摩爾定律本身,而是它所代表的促進經(jīng)濟增長、科學進步和可持續(xù)創(chuàng)新的能力。
          • 關(guān)鍵字: CMOS  

          臺積電熊本新廠建筑工程上個月末已完成

          • 1月8日消息,據(jù)報道,日本熊本放送消息,臺積電日本熊本新廠建筑工程在上個月末已完成,預(yù)定年內(nèi)投產(chǎn),目前處于設(shè)備移入進機階段。另外,該廠開幕式預(yù)計在2月24日舉行。公開資料顯示,臺積電日本子公司主要股東包括持股71%的臺積電、持股近20%的索尼,以及持股約10%的日本電裝(DENSO),熊本第一工廠計劃生產(chǎn)12/16nm和22/28nm這類成熟制程的半導體,初期多數(shù)產(chǎn)能為索尼代工 CMOS 圖像傳感器中采用的數(shù)字圖像處理器(ISP),其余則為電裝代工車用電子微控制器 MCU,電裝可取得約每月1萬片產(chǎn)能。臺積
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          CIS 產(chǎn)能誘惑再起

          • 移動互聯(lián)時代,在電子半導體產(chǎn)業(yè)周期由谷底向上走階段,有 3~4 類芯片會沖在前面,呈現(xiàn)出明顯的增長勢頭,存儲器是典型代表,還有一種芯片也很搶眼,那就是 CIS(CMOS 圖像傳感器),它在 2019~2020 年那一波產(chǎn)業(yè)高速增長過程中就扮演了重要角色。如今,2024 年半導體業(yè)即將復蘇,CIS 再一次沖在了前面。CIS 有三大應(yīng)用領(lǐng)域:手機、安防和汽車。當然,CIS 在工業(yè)和其它消費類電子產(chǎn)品上也有應(yīng)用。近日,全球 CIS 市場排名第二的三星電子發(fā)出通知,將大幅調(diào)升 2024 年第一季度 CIS 產(chǎn)品的
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          英特爾展示 3D 堆疊 CMOS 晶體管技術(shù):在 60nm 柵距下實現(xiàn) CFET

          • IT之家 12 月 10 日消息,由于當下摩爾定律放緩,堆疊晶體管概念重獲關(guān)注,IMEC (比利時微電子研究中心)于 2018 年提出了堆疊互補晶體管的微縮版 CFET 技術(shù)(IT之家注:即垂直堆疊互補場效應(yīng)晶體管技術(shù),業(yè)界認為 CFET 將取代全柵極 GAA 晶體管技術(shù)),英特爾和臺積電也都進行了跟進。在今年的 IEEE 國際電子器件會議(IEDM 2023)上,英特爾展示了多項技術(shù)突破,并強調(diào)了摩爾定律的延續(xù)和演變。首先,英特爾展示了其中 3D 堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)晶體管方面取得的突
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  CMOS  

          下一代CMOS邏輯,邁入1nm時代

          • 3D 亞納米時代,CMOS 邏輯電路如何發(fā)展?
          • 關(guān)鍵字: CMOS  

          Teledyne e2v 發(fā)布新一代高性能全局快門 CMOS 圖像傳感器

          • Teledyne Technologies [NYSE: TDY] 子公司、全球成像解決方案革新者 Teledyne e2v 發(fā)布全新高水準 CMOS 圖像傳感器系列 Emerald? Gen 2。新系列在 Teledyne e2v 先進成像技術(shù)的基礎(chǔ)上又增強了性能,使之成為各種機器視覺應(yīng)用、室外監(jiān)控以及交通檢測與監(jiān)控相機的理想選擇。 Emerald? Gen2Emerald Gen2 的型號分為 8.9M像素(4,096 x 2,160)和 12M 像素(4,096 x 3,072)
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