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          SEMICON China | 探討熱點與前沿技術(shù) ，功率及化合物半導(dǎo)體論壇2022圓滿舉辦 
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 11月1-2日，SEMICON China “功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇2022”在上海國際會議中心成功舉辦。共有19位來自功率及化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈領(lǐng)先企業(yè)的講師親臨現(xiàn)場做報告分享。此次論壇重點討論的主題包括：開幕演講，化合物半導(dǎo)體與光電及通訊，寬禁帶半導(dǎo)體及新型功率器件。SEMI全球副總裁、中國區(qū)總裁居龍先生為此次論壇致歡迎詞。居龍表示：“在大家的支持下，功率及化合物半導(dǎo)體國際論壇從2016年開始首辦，今年已經(jīng)是第七屆。在嚴(yán)格遵守防疫規(guī)定的前提下，希望大家能在SEMI的平臺上充分交流。不經(jīng)歷風(fēng)雨，怎么能
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        碳化硅  氮化鎵  InP                          
            • 
                   	
          
                    
          
                
          
                                
          
                    
          2×8低噪聲InGaAs／InP APD讀出電路設(shè)計
          
                                                            
            
                    	
          • 對In0．53Ga0.47As／InP雪崩光電二極管(APD)探測器進(jìn)行了特性分析。以大陣列研究為基礎(chǔ)，結(jié)合器件特性設(shè)計了一個2×8低噪聲讀出電路(ROIC)，電路主要由電容反饋互阻放大器(CTIA)和相關(guān)雙采樣(CDS)電路單元構(gòu)成，并對讀出電路的時序、積分電容等進(jìn)行了設(shè)計。電路采用0．6 μm CMOS工藝流片，芯片面積為2 mm×2 mm，電荷存儲能力為5×107個，功耗小，噪聲低，設(shè)計達(dá)到預(yù)期要求。
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        InGaAs  APD  InP  低噪聲                            
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	共2條
	1/1															1								
	
          
		                
          
	               	
          
                
          
        	
          
            
          
        
          
	
          
	
          
  		
          
    		
          
      			
          
          			
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