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DRAM產(chǎn)業(yè)走向低納米技術(shù) 成本縮減將放速
- 最近幾個(gè)季度DRAM產(chǎn)業(yè)在推低光刻節(jié)點(diǎn)方面比較積極，但在今年剩余時(shí)間內(nèi)力度將逐漸減弱。今年第一季度DRAM產(chǎn)業(yè)的加權(quán)平均節(jié)點(diǎn)從2010年第四季度的5.3%上升到5.6%，表明推動(dòng)DRAM技術(shù)遷移的力度在增大。。在此期間，成本降幅從7.8%增大至14.2%，晶圓成本下降情況與光刻工藝的變化相符。據(jù)IHS iSuppli公司的研究，隨著DRAM市場(chǎng)過(guò)渡到效率更高的低納米技術(shù)，該產(chǎn)業(yè)的成本削減及節(jié)省步伐從2012年開(kāi)始將放緩。
- 關(guān)鍵字： Inotera DRAM
分析師看好全球生產(chǎn)線的擴(kuò)張版圖
- 按SEMI的資深分析師Christian Dieseldorff報(bào)道，SEMI的全球Fab預(yù)測(cè)于2010年時(shí)全球Fab投資再增加64%，達(dá)240億美元。 ICInsight的McClean認(rèn)為，今年第三季度的全球產(chǎn)能利用率可達(dá)88%，接近去年金融危機(jī)之前的水平。它還認(rèn)為2007年的產(chǎn)能利用率達(dá)90%，一直維持到去年的前三個(gè)季度。之后2008 Q4下降到68%，2009 Q1為最低水平是57%，到09 Q2由于OEM為補(bǔ)充庫(kù)存而使產(chǎn)能利用率又回復(fù)到78%。
- 關(guān)鍵字： Inotera 70納米 溝槽式 DRAM
臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠商紛紛提升制程并欲提高產(chǎn)能
- 由于第三季度內(nèi)存芯片價(jià)格看漲，因此臺(tái)灣內(nèi)存芯片廠商華亞(Inotera)，南亞(Naya)以及力晶半導(dǎo)體(PSC)公司最近紛紛進(jìn)行制程轉(zhuǎn)換并計(jì)劃提高產(chǎn)能。此前，由于PC和ASP市場(chǎng)需求萎靡，因此這些芯片廠商曾一度減產(chǎn)自保。 力晶公司將員工的月無(wú)薪休假日數(shù)由8天減到了4天，而華亞和南亞則計(jì)劃六月份開(kāi)始禁止大部分員工無(wú)薪休假。 華亞稱由于奇夢(mèng)達(dá)的破產(chǎn)其出貨量有所下降，不過(guò)自從與鎂光達(dá)成供貨協(xié)議后出貨開(kāi)始恢復(fù)。該公司預(yù)計(jì)五月份產(chǎn)量為8萬(wàn)片12英寸晶圓，而到第三季度，月產(chǎn)量將達(dá)9-10萬(wàn)片。相比第
- 關(guān)鍵字： Inotera 晶圓 內(nèi)存芯片
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