jfet 文章 進入jfet 技術(shù)社區(qū)
安森美將收購碳化硅JFET技術(shù)，以增強其針對AI數(shù)據(jù)中心的電源產(chǎn)品組合
- 安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術(shù)的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現(xiàn)成驅(qū)動器。綜合這
- 關(guān)鍵字： 安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數(shù)據(jù)中心電源
安森美收購Qorvo旗下SiC JFET技術(shù)
- 據(jù)安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協(xié)議，以1.15億美元現(xiàn)金收購其碳化硅結(jié)型場效應晶體管(SiC JFET) 技術(shù)業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據(jù)悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產(chǎn)品組合，使其能應對人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經(jīng)理
- 關(guān)鍵字： 安森美 收購 Qorvo SiC JFET
很基礎的MOS管知識
- 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結(jié)型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場效應管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
- 關(guān)鍵字： 三極管 MOSFET JFET
還分不清結(jié)型場效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)
- JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
結(jié)型場效應管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷
- 今天給大家講講結(jié)型場效應管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單，因為只有一個PN結(jié)要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結(jié)型場效應管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應晶體管的基極，源極對應晶體管的發(fā)射極，漏極對應晶體管的集電極。在這之前講過關(guān)于三極管測好壞的方法，極性的判斷?？梢渣c擊標題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測量方法和管腳辨別方法，一文總結(jié)，幾分鐘教你學會將萬用表設置為“R×1k”，用兩根表筆測量 每兩個引腳之間的正反向電阻。當兩個引腳的正反向電阻均為幾千歐
- 關(guān)鍵字： 結(jié)型場效應管 jfet 電路設計
如何成為硬件高手
- 摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順，阻力重重的負載中到處碰壁…… 古人學問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認為看后就能成為高手，當然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過往經(jīng)歷和拙見與在校學生朋友和剛工作的工程師分享共勉?！ ±碚搶W習 沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
- 關(guān)鍵字： 仿真 JFET
結(jié)型場效應管(JFET)的基礎知識
- 結(jié)構(gòu)與符號： ? ? 在N區(qū)兩側(cè)擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s。 導電原理： ? ? (1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大?！ ?2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄。 當VGS
- 關(guān)鍵字： JFET
場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂
- 一、場效應管的工作原理- -概念 場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場效應管 MOS JFET 場效應管工作原理
Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
- 關(guān)鍵字： Power Integrations SiC二極管 JFET
jfet 介紹
最早具有實際結(jié)構(gòu)的場效應晶體管是在N型或者P型半導體基片上制作一對PN結(jié)及相應的金屬電極，兩個PN結(jié)之間有導電溝道，通過改變外加PN界的反向偏置電壓，以改變PN結(jié)耗盡層的厚度，從而達到改變溝道區(qū)載流子密度以控制溝道輸出電流的目的，因此，這種場效應管也被稱為PN結(jié)型場效應晶體管，即PN JFET（PN Junction FET），通常也稱JFET。
什么是 JFET
一種單極的三層晶 [ 查看詳細 ]
jfet 資料下載
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473