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Kilopass 在中國推最新VLT技術(shù),助力國內(nèi)DRAM 產(chǎn)業(yè)崛起
- 這幾年國產(chǎn)芯片替代概念推動(dòng)了國內(nèi)半導(dǎo)體公司的加速發(fā)展。除了處理器芯片外,存儲(chǔ)器的發(fā)展也得包括政府、市場資本、行業(yè)巨頭廠商的高度關(guān)注。不過,受制于技術(shù)等原因,全球90%的DRAM市場份被三星、海力士和美光三家廠商占據(jù)。 現(xiàn)有DRAM的最關(guān)鍵技術(shù)是電容存儲(chǔ)單元,它不僅帶來了特有的制造挑戰(zhàn),還被大量專利所保護(hù)。 國內(nèi)廠商想要有所突破,除了加大投入和研發(fā)外,一定程度也需要外力支持。近日,半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass 首席執(zhí)行官Charlie Che
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Kilopass憑借其革命性的VLT技術(shù)改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領(lǐng)先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布:推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù),進(jìn)而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲(chǔ)單元在2015年已通過驗(yàn)證,目前一款新的完整存儲(chǔ)器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項(xiàng)技術(shù),并正與DRAM制造商進(jìn)行許可協(xié)商。 “Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者而聞名,我
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Kilopass推出VLT技術(shù),欲改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
- 半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器(eNVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品提供商Kilopass Technology, Inc.近日推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術(shù)。該技術(shù)顯著降低了存儲(chǔ)芯片的成本且與DDR SDRAM完全兼容,使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝制造且無需昂貴的電容結(jié)構(gòu)。 由于當(dāng)前基于1個(gè)晶體管+1個(gè)電容器(1T1C)存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)的DRAM解決方案不夠合理,電容器無法進(jìn)一步縮小,尺寸太大,在20nm工藝上,電容量太低,DRAM技術(shù)自2010年以來已放緩
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聯(lián)華和Kilopass攜手 進(jìn)行先進(jìn)制程28奈米硅智財(cái)合作
- 聯(lián)華電子與半導(dǎo)體邏輯非揮發(fā)性內(nèi)存(NVM)硅智財(cái)領(lǐng)導(dǎo)廠商Kilopass日前共同宣布,雙方已簽署技術(shù)開發(fā)協(xié)議,Kilopass非揮發(fā)性內(nèi)存硅智財(cái)將于聯(lián)華電子兩個(gè)28奈米先進(jìn)制程平臺(tái)上使用,分別為:適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片的高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費(fèi)性電子產(chǎn)品系統(tǒng)單芯片設(shè)計(jì)公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。
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KILOPASS推出適用于尖端SOC芯片的嵌入式邏輯非易失性內(nèi)存IP
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體邏輯非易失性內(nèi)存(NVM)知識(shí)產(chǎn)權(quán)模塊(IP)的供應(yīng)商,Kilopass 科技公司,今天發(fā)布了業(yè)界第一也是迄今唯一一個(gè)4兆比特的非易失性內(nèi)存半導(dǎo)體IP--Gusto。Gusto是唯一足以儲(chǔ)存?zhèn)鹘y(tǒng)上被存儲(chǔ)在外部串行閃存和EEPROM芯片上的固件及啟動(dòng)代碼的NVM IP。對于一些對成本、功耗和面積因素比較敏感的應(yīng)用,包括移動(dòng)應(yīng)用處理器和多媒體處理器,以及高安全性應(yīng)用如移動(dòng)銀行和有條件接收,它都是理想的選擇。Kilopass已經(jīng)在三個(gè)頂級(jí)代工廠——IBM,TSMC和U
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NVCM ——PLD便攜應(yīng)用方案的新選擇
- 根據(jù)Semico調(diào)查研究,對于可編程邏輯芯片(PLD而言,便攜式應(yīng)用是一個(gè)快速增長的市場,預(yù)估可編程邏輯芯片在這些應(yīng)用領(lǐng)域的市場值將在2010年前超過6億5000萬美元。但是PLD在便攜應(yīng)用中也是優(yōu)缺點(diǎn)都非常明顯的解決方案。PLD提供了相比ASIC和ASSP更加靈活的設(shè)計(jì)路徑,通過提供不同的功能設(shè)置,從而設(shè)計(jì)出差異化的產(chǎn)品。同時(shí),便攜電子電池供電的局限性,以及在有限空間內(nèi)集成更多功能而又不影響功耗的考慮,都為FPGA帶來了不小的障礙。 當(dāng)前,PLD市場不乏一些針對便攜應(yīng)用專門優(yōu)化過的方案,例如Xil
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