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線邊緣粗糙度(LER)如何影響先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上半導(dǎo)體的性能
- l 介紹 由后段制程(BEOL)金屬線寄生電阻電容(RC)造成的延遲已成為限制先進(jìn)節(jié)點(diǎn)芯片性能的主要因素[1]。減小金屬線間距需要更窄的線關(guān)鍵尺寸(CD)和線間隔，這會(huì)導(dǎo)致更高的金屬線電阻和線間電容。圖1對(duì)此進(jìn)行了示意，模擬了不同后段制程金屬的線電阻和線關(guān)鍵尺寸之間的關(guān)系。即使沒(méi)有線邊緣粗糙度(LER)，該圖也顯示電阻會(huì)隨著線寬縮小呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)[2]。為緩解此問(wèn)題，需要在更小的節(jié)點(diǎn)上對(duì)金屬線關(guān)鍵尺寸進(jìn)行優(yōu)化并選擇合適的金屬材料。除此之外，線邊緣粗糙度也是影響電子表面散射和金屬線電阻率
- 關(guān)鍵字： 線邊緣粗糙度 LER 先進(jìn)節(jié)點(diǎn) 半導(dǎo)體的性能
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