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NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅(jiān)固LFPAK56封裝

• 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，適合汽車應(yīng)用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎(chǔ)上，將封裝占位面積減少了50%以上。  新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu)，由Nexperia率先應(yīng)用，已在汽車等要求
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