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          SK海力士正在開發(fā)低功耗LPDDR5M:能效提高8%

          • 2月28日消息,SK海力士正致力于開發(fā)新一代低功耗內(nèi)存LPDDR5M,其數(shù)據(jù)傳輸速率與現(xiàn)有的LPDDR5T相同,均為9.6Gbps,但在能效方面實現(xiàn)了顯著提升。LPDDR5M的工作電壓從1.01-1.12V降至0.98V,能效提高了8%。這一技術突破預計將廣泛應用于具備設備端AI功能的智能手機中,使其在本地運行密集型操作時消耗更少的電量,從而滿足設備制造商對高效能、低功耗的需求。業(yè)內(nèi)人士推測,SK海力士最快將于年內(nèi)推出LPDDR5M產(chǎn)品。與此同時,SK海力士在高帶寬內(nèi)存(HBM)領域的研發(fā)也取得了重要進展
          • 關鍵字: SK海力士  低功耗內(nèi)存  LPDDR5M  
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