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美光推出增加服務(wù)器內(nèi)存容量和提升性能的新方法
- 美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個(gè)DDR3低負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開(kāi)始推出16GB版本的樣品。通過(guò)減少服務(wù)器內(nèi)存總線上的負(fù)載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。 新的LRDIMM將采用美光先進(jìn)的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務(wù)器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進(jìn)行客戶認(rèn)證，將很快進(jìn)行大量生產(chǎn)。 如今多數(shù)中端企
- 關(guān)鍵字： 美光 LRDIMM DDR3 50nm
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