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          IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內(nèi)存緩沖芯片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 擁有模擬和數(shù)字領域的優(yōu)勢技術、提供領先的混合信號半導體解決方案的供應商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片，可在高達 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。
            • 
                    	                        
          • 關鍵字：
                        IDT  DDR3  LRDIMM                          
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          美光推出增加服務器內(nèi)存容量和提升性能的新方法 
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美光科技股份有限公司近日宣布生產(chǎn)出業(yè)內(nèi)首個DDR3低負載雙列直插內(nèi)存模塊(LRDIMM)，并將于今年秋季開始推出16GB版本的樣品。通過減少服務器內(nèi)存總線上的負載，美光的LRDIMM可用以支持更高的數(shù)據(jù)頻率并顯著增加內(nèi)存容量。
　　新的LRDIMM將采用美光先進的1.35v 2Gb 50nm 的DDR3內(nèi)存芯片制造。由于芯片的高密度和業(yè)內(nèi)領先的小尺寸，使美光能夠輕松并具成本效益地增加服務器模塊的容量。美光的2Gb 50nm DDR3產(chǎn)品目前正在進行客戶認證，將很快進行大量生產(chǎn)。
　　如今多數(shù)中端企
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          • 關鍵字：
                        美光  LRDIMM  DDR3  50nm                          
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	共2條
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