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ST采用硅通孔技術(shù)實現(xiàn)尺寸更小更智能的MEMS芯片
- 意法半導(dǎo)體率先將硅通孔技術(shù)(TSV)引入MEMS芯片量產(chǎn)。在意法半導(dǎo)體的多片MEMS產(chǎn)品(如智能傳感器、多軸慣性模塊)內(nèi),硅通孔技術(shù)以垂直短線方式取代傳統(tǒng)的芯片互連線方法,在尺寸更小的產(chǎn)品內(nèi)實現(xiàn)更高的集成度和性能。 硅通孔技術(shù)利用短垂直結(jié)構(gòu)連接同一個封裝內(nèi)堆疊放置的多顆芯片,相較于傳統(tǒng)的打線綁定或倒裝芯片堆疊技術(shù),硅通孔技術(shù)具有更高的空間使用效率和互連線密度。意法半導(dǎo)體已取得硅通孔技術(shù)專利權(quán),并將其用于大規(guī)模量產(chǎn)制造產(chǎn)品,此項技術(shù)有助于縮減MEMS芯片尺寸,同時可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性和性能。
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