- MOS晶體管表現出理想模型所沒有的各種二階效應。為了設計在現實世界中工作的模擬集成電路，我們需要了解這些非理想因素。在上一篇文章中，我們介紹了基本的MOSFET結構和工作區域。我們討論的模型描繪了一個理想的MOSFET，并且由于其較長的溝道尺寸，對于早期的MOSFET來說是相當準確的。然而，隨后的研究和晶體管的持續小型化都揭示了晶體管行為中的一系列非理想性。本文將介紹這些非理想性的基礎知識以及它們如何影響模擬集成電路中的晶體管性能。寄生電容由于MOSFET的物理實現，在端子結之間形成了以下寄生電容：CGS
- 關鍵字：
MOSEFT 晶體管
- 問：如何提高隔離式電源的效率？答：在大多數降壓調節器的典型應用中，使用有源開關而非肖特基二極管是標準做法。這樣能大大提高轉換效率，尤其是產生低輸出電壓時。在需要電流隔離的應用中，也可使用同步整流來提高轉換效率。圖1所示為副邊同步整流的正激轉換器。圖1 正激轉換器的自驅動同步整流驅動開關進行同步整流可以通過不同方式實現。一種簡單方法涉及到跨越變壓器副邊繞組來驅動。如圖1所示。本例中，輸入電壓范圍可能不是非常寬。使用最小輸入電壓時，SR1和SR2的柵極需要有足夠的電壓，以便開關能夠可靠地導通。為確保MOSFE
- 關鍵字：
MOSEFT
- 隨著電動汽車（EV）數量的增加，對創建更加節能的充電基礎設施系統的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據聯合充電系統和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅動更快、更安全、更高效的充電器的半導體技術
- 關鍵字：
EV SiC IGBT MOSEFT CMTI
- ?本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續流導通期間出現失效或柵極驅動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進行非鉗位感性負載開關測試，并使用不同的SiC MOSFET器件，按照不同的測試條件，評估技術的失效能量和魯棒性。
- 關鍵字：
MOSEFT VDS UIS DUT
- 德州儀器(TI)是推動GaN開發和支持系統設計師采用這項新技術的領軍企業。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計，致力于幫助系統設計師節省空間、取得更高電源效率及簡化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優化性能，而且攻克了具有挑戰性的實施問題，使客戶得以設計高能效系統，建設更綠色環保的世界。
- 關鍵字：
MOSEFT GaN UPS
- 中國新能源汽車電驅動領域高科技公司臻驅科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅科技”）與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新片區成立“碳化硅技術聯合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優勢，作為能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅科技和羅姆就采
- 關鍵字：
MOSEFT SiC
- 簡介為汽車電子系統供電時，不但需要滿足高可靠性要求，還需要應對相對不太穩定的電池電壓，具有一定挑戰性。與車輛電池連接的電子和機械系統具有差異性，可能導致標稱12 V電源出現大幅電壓偏移。事實上，在一定時間段內，12 V電源的變化范圍為–14 V至+35 V，且可能出現+150 V至–220 V的電壓峰值。其中有些浪涌和瞬變在日常使用中出現，其他則是因為故障或人為錯誤導致。無論起因為何，它們對汽車電子系統造成的損害難以診斷，修復成本也很高昂。通過總結上個世紀的經驗，汽車制造商對會干擾運行、造成損壞的電子狀況
- 關鍵字：
SOA ECU MOSEFT
- 本文將強調出無論就能源效率、散熱片尺寸或節省成本方面來看,工業傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優點。摘要由于電動馬達佔工業大部分的耗電量,工業傳動的能源效率成為一大關鍵挑戰。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術,為電力切換領域立下全新的效能標準。1.導言目前工業傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發的碳化
- 關鍵字：
MOSEFT FWD ST IGBT
- 全球技術解決方案提供商 艾睿電子 近日發布了集成雙向電力轉換器解決方案，為電動汽車（EV）配備強大的移動充電器，提供高性能雙向充電/放電技術，令電動汽車不但可以儲存電力，并可將剩余的電能供應給住宅和電網。方案可以進一步實現"車輛到家居"（Vehicle-to-Home - V2H）和"車輛到電網"（Vehicle-to-Grid - V2G）供電模式，有助于調節電網高峰期的負荷，充分利用車輛電池閑置期間的資源，從而促進智慧城市向更持續更節能的發展
- 關鍵字：
MOSEFT EV
- 2020年2月，碳化硅的領導廠商之一英飛凌祭出了650V CoolSiC? MOSFET，帶來了高性能和高功效。它是如何定義性能和應用場景的？下一步產品計劃如何？碳化硅業的難點在哪里？為此，電子產品世界等媒體視頻采訪了英飛凌科技電源與傳感系統事業部大中華區開關電源應用高級市場經理陳清源先生。英飛凌科技 電源與傳感系統事業部大中華區 開關電源應用高級市場經理 陳清源據悉，此次英飛凌推出了8款650V CoolSiC? MOSFET產品，采用2種插件TO-247封裝，既可采用典型的TO-247 三引腳封裝，也
- 關鍵字：
MOSEFT 碳化硅 SMD
- 由米勒電容引起的寄生導通效應，常被認為是當今碳化硅MOSFET應用的一大缺陷。為了避免這種效應，在硬開關變流器的柵極驅動設計中，通常采用負柵極電壓關斷。但是這對于CoolSiC? MOSFET真的有必要嗎？引言選擇適當的柵極電壓值是設計所有柵極驅動的關鍵。借助英飛凌的CoolSiC MOSFET技術，設計人員能夠選擇介于15-18 V之間的開通柵極電壓，從而讓開關擁有最佳的載流能力或抗短路能力。而柵極關斷電壓值只需要確保器件能夠安全地關斷。英飛凌建議設計人員將MOSFET分立器件的關斷電壓定為0 V，從而
- 關鍵字：
MOSEFT 柵極電壓
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業逆變器和光伏（PV）的功率調節系統。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監控集電極電壓實現過流檢測。產品于今日起開始出貨。新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠
- 關鍵字：
IGBT MOSEFT
moseft介紹
您好，目前還沒有人創建詞條moseft!
歡迎您創建該詞條，闡述對moseft的理解，并與今后在此搜索moseft的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
