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MOSFET器件的高壓CV測試詳解
- _____MOSFET、IGBT和BJT等半導體器件的開關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計一個高效的開關(guān)電源將要求設(shè)計者知道設(shè)備的電容，因為這將影響開關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標說明書中提供。圖1 功率MOSFET的組件級電容三端功率半導體器件的電容可以在兩種不同的量級上看待：組件和電路。在組件上查看電容涉及到表征每個設(shè)備終端之間的電容。在電路上觀察電容涉及到描述組件級電容的組合。例如，圖1說明了一個功率MOSFET的組件級電容
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技術(shù)知識：嵌入式功率系統(tǒng)的100V MOSFET器件
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