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適用功率MOSFET封裝的選擇

• 2004年8月A版 　　隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)及電信系統(tǒng)等很多最終設(shè)備的功率水平和功率密度的要求持續(xù)不斷提高，對(duì)組成電源管理系統(tǒng)的元部件的性能提出了越來(lái)越高的要求。直到最近，硅技術(shù)一直是提高電源管理系統(tǒng)性能的最重要因素。然而，過(guò)去數(shù)年中硅技術(shù)的改進(jìn)已經(jīng)將MOSFET的RDS(on)和功率半導(dǎo)體的發(fā)熱量降低到了相當(dāng)?shù)偷乃?，以至封裝限制了器件性能的提高。隨著系統(tǒng)電流要求成指數(shù)性增加，市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了多種先進(jìn)的功率MOSFET封裝。流行的封裝形式包括：DPAK、SO-8、CopperStrap SO-
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