- Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統的應用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應用需求的增加， P溝道功率MOSFET的應用范圍得到拓展。高端側（HS）應用P溝道的簡易性使其對低壓變換器（<120V）和非隔離的負載點更具吸引力。因為無需電荷泵或額外的電壓源，高端側（HS）P溝道MOSFET易于驅動，具有設計簡單、節省空間，零件數量少等特點，提升了成本效率。本文通過對N溝道和P溝道MOSFETs進行比較，介紹Littelfuse P溝道功率M
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Littelfuse P溝道功率 MOSFETs
- Nexperia(安世半導體)3月初宣布安世半導體(中國)有限公司著力擴建的廣東新分立器件封裝和測試工廠正式投產，全廠總面積達到72,000 平方米，新增16,000 平方米生產面積，年產量達到900 億件;根據產品組合，實現增長約50%，有力地支持了今后數年Nexperia 雄心勃勃的業務發展計劃。廣東新工廠的投產，使Nexperia 全年總產量超過1 千億件。本次新工廠投產的最大推動力源于2016年中國的建廣資產以27.5億美元收購恩智浦（NXP）標準件業務，并以此為基礎組建了全新的Nexperia(
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Nexperia 分立器件 MOSFETs 邏輯器件
- 市場人氣頗高的意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)MDmesh? M2系列的N-溝道功率MOSFETs再增添新成員，新系列產品能夠為服務器、筆記本電腦、電信設備及消費電子產品電源提供業內最高能效的電源解決方案，在低負載條件下的節能效果尤為顯著，讓設計人員能夠開發更輕、更小的開關式電源，同時輕松達到日益嚴格的能效目標要求。
新款600V MDmesh M2 EP產品整合意法半導體經過市場檢驗的條形布局(strip layout)和全新改進的垂直結構和優化的擴散工
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意法半導體 MOSFETs
- 一、半導體產業生態環境
半導體產業誕生于上世紀70年代，當時主要受兩大因素驅動：一是為計算機行業提供更符合成本效益的存儲器;二是為滿足企業開發具備特定功能的新產品而快速生產的專用集成電路。
到了80年代，系統規范牢牢地掌握在系統集成商手中。存儲器件每3年更新一次半導體技術，并隨即被邏輯器件制造商采用。
在90年代，邏輯器件集成電路制造商加速引進新技術，以每2年一代的速度更新，緊跟在內存廠商之后。技術進步和產品性能增強之間不尋常的強相關性，使得相當一部分系統性能和利潤的控制
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半導體技術 MOSFETs
- 一、半導體產業生態環境
半導體產業誕生于上世紀70年代，當時主要受兩大因素驅動：一是為計算機行業提供更符合成本效益的存儲器;二是為滿足企業開發具備特定功能的新產品而快速生產的專用集成電路。
到了80年代，系統規范牢牢地掌握在系統集成商手中。存儲器件每3年更新一次半導體技術，并隨即被邏輯器件制造商采用。
在90年代，邏輯器件集成電路制造商加速引進新技術，以每2年一代的速度更新，緊跟在內存廠商之后。技術進步和產品性能增強之間不尋常的強相關性，使得相當一部分系統性能和利潤的控制
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半導體 MOSFETs
- 摘要：通過分析設計，提出了一種新型結構的疊柵MOSFET，它的柵電容是由兩個電容混聯組成，所以它有較小的柵電容和顯著的抑制短溝道效應的作用。模擬軟件MEDICI仿真結果驗證了理論分析的預言，從而表明該結構可用作射
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研究 結構設計 MOSFETs 疊柵
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