4 月 8 日消息,近日,三星為 Galaxy S23 系列機型推送的 One UI 6.1
更新意外導致了手機的指紋識別功能出現故障。有用戶反映,使用指紋識別解鎖手機時,會出現第一次識別失敗,手指離開后再重新識別才能解鎖的情況。還有用戶表示,每次使用指紋識別解鎖手機時,系統都會崩潰,需要連續嘗試兩次才能成功。據 AndroidAuthority 報道,三星韓國社區論壇的一位社區經理已經確認了該問題的存在。他表示:“對于設備使用過程中出現的不便,我們深表歉意。我們已經確認,部分情況下鎖屏的指紋識別功能
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One UI 6.1 Galaxy S23 手機指紋 識別
4 月 1 日消息,三星電子 DS 部門負責人慶桂顯近日在社交媒體上表示三星內部正采取雙軌 AI 半導體策略,同步提高在 AI 用存儲芯片和 AI 算力芯片領域的競爭力。在 AI 用存儲芯片部分,三星組建了由 DRAM 產品與技術負責人 Hwang Sang-joon 領導 HBM 內存產能與質量提升團隊,這是其今年建立的第二個 HBM 專門團隊。三星近期在 HBM 內存上進行了大規模的人才投入,旨在贏回因策略失誤而被 SK 海力士拿下的 HBM 內存市場領軍地位:2019 年,三星因對未來市場的錯誤預測
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三星 HBM AI Mach-2
三星電子DS部門負責人慶桂顯(Kye Hyun Kyung)在第55屆股東大會上宣布,將于2025年初推出人工智能(AI)芯片Mach-1,正式進軍AI芯片市場。三星希望,能夠在快速增長的人工智能硬件領域與其他公司進行競爭,比如英偉達。據SeDaily報道,Mach-1屬于ASIC設計,被定為為輕量級人工智能芯片,搭配LPDDR內存產品。其擁有一項突破性的功能,與現有的設計相比,能顯著降低了推理應用的內存帶寬需求,僅為原來的八分之一,降低了87.5%。三星認為,這一創新設計將使Mach-1在效率和成本效益
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三星 Mach-1 AI芯片 LPDDR內存
科創板日報援引韓媒消息,三星電子DS(設備解決方案)部門負責人慶桂顯宣布,三星電子計劃今年底明年初推出采用LPDDR內存的AI芯片Mach-1。Mach-1芯片已完成基于FPGA的技術驗證,正處于SoC設計階段。該AI芯片將于今年底完成制造過程,明年初推出基于其的AI系統。Mach-1芯片基于非傳統結構,可將片外內存與計算芯片間的瓶頸降低至現有AI芯片的1/8。此外,其無需現在緊俏而昂貴的HBM內存,而是選用了LPDDR內存。
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三星 Mach-1芯片 AI芯片
3月18日消息,美國當地時間周日,埃隆·馬斯克(Elon Musk)旗下的人工智能初創企業xAI宣布,其大語言模型Grok-1已實現開源,并向公眾開放下載。感興趣的用戶可通過訪問GitHub頁面github.com/xai-org/grok來使用該模型。xAI介紹稱,Grok-1是一款基于混合專家系統(Mixture-of-Experts,MoE)技術構建的大語言模型,擁有3140億參數。近期,公司發布了Grok-1的基本模型權重和網絡架構詳情。該公司表示,Grok-1始終由xAI自行訓練,其預訓練階段于
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xAI 開源大語言模型 Grok-1
專注于引入新品的全球電子元器件和工業自動化產品授權代理商貿澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售Boundary Devices的Nitrogen8M Plus?SMARC。Nitrogren8M Plus SMARC是一款符合SMARC 2.1行業標準的高性能系統級模塊?(SoM),與SMARC載板相結合可組成單板計算機,大大加快產品上市速度。Nitrogen8M Plus SMARC是各種工業物聯網?(IIoT)?應用的
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貿澤 工業IoT設備 Boundary SMARC 2.1
2024年1月11日,中國上海 — 思特威(上海)電子科技股份有限公司(股票簡稱:思特威,股票代碼:688213),重磅推出其首顆5000萬像素1/1.28英寸圖像傳感器新品——SC580XS。此款新品是思特威繼成功量產第一顆22nm HKMG Stack工藝的5000萬像素1/1.56英寸產品SC550XS之后,在同一工藝平臺打造的升級產品。作為1.22μm像素尺寸圖像傳感器,SC580XS搭載思特威新一代像素技術SFCPixel?-2以及PixGain HDR?、AllPix ADAF?等多項技術和工
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智能手機主攝 思特威 5000萬像素 1/1.28英寸 圖像傳感器
本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案,并對比傳統的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議,并作了機械規格和可靠性分析。越來越多的系統要求為傳統的非電子外設或耗材添加電子功能,包括存儲校準數據或制造信息,或者存儲外設、配件或耗材的OEM認證。這就要求系統需要添加存儲和安全功能,還必須在主機和外設之間添加機電連接功能。已獲專利的1-Wire接觸封裝(以前稱為SFN封裝)專為機電接觸環境而設計,典型應用包括對象識
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1-Wire 封裝 機電
Diodes 公司 (Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合 MIPI? D-PHY 1.2 協議的信號 ReDriver?。PI2MEQX2503 可重建從相機傳輸到顯示器的信號,數據傳輸速率高達 2.5Gbps,適用于筆記本電腦、平板電腦、手機、物聯網 (IoT) 設備、商用顯示器、增強現實頭戴顯示器、無人機和機器人等各種產品應用。PI2MEQX2503 具有雙數據通道均衡器和單時鐘通道,可補償與 PCB、接口、線材及開關相關的損耗。此 ReDriver 可實現從 CSI2 信號來源傳輸到 D
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Diodes ReDriver MIPI D-PHY 1.2
Diodes?公司?(Diodes)近日推出一款低功耗、高性能且符合?MIPI??D-PHY 1.2?協議的信號?ReDriver?。PI2MEQX2503?可重建從相機傳輸到顯示器的信號,數據傳輸速率高達?2.5Gbps,適用于筆記本電腦、平板電腦、手機、物聯網?(IoT)?設備、商用顯示器、增強現實頭戴顯示器、無人機和機器人等各種產品應用。PI2MEQX2503?具有雙數據通道均衡器和單時鐘通
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Diodes ReDriver MIPI D-PHY 1.2協議
Flex Power?Modules向其產品系列中加入了一款全新1/4磚、底板冷卻的DC/DC轉換器PKM8100A,該產品具有9-75 VDC超寬的輸入范圍(100V/100 ms)。PKM8100A以最高達89%的效率提供100 W功率,并提供12 V/8.35A或54 V/1.85 A的初始輸出。產品的輸入到輸出隔離電壓額定值為3000 VDC,滿足IEC/UL 62368-1的要求。該產品具有豐富的功能,包括遠程控制、輸出微調和遙感功能,保護功能則涵蓋過溫、輸入欠壓鎖定、輸出過壓和短路。
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Flex Power Modules 1/4磚 DC/DC轉換器
本文介紹已獲專利的適用于機電接觸應用的1-Wire?接觸封裝解決方案,并對比傳統的封裝解決方案以展示1-Wire接觸封裝解決方案的優越性。本文還就如何將該解決方案安裝到配件或耗材提供了建議,并作了機械規格和可靠性分析。
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機電 1-Wire接觸封裝
據中國臺灣經濟日報報道,臺積電高雄廠正式編定為臺積22廠(Fab 22),并且完成該廠2nm營運團隊建設。臺積電供應鏈認為,臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄,但仍視其他縣市爭取臺積電進駐態度及臺積電全盤規劃而定。報道指出,臺積電打破在不同產區同時生產最先進制程的慣例,將高雄廠原計劃切入28納米及7納米的規劃,改為直接切入2納米。同時在新竹寶山興建2納米第一期工廠之際,也立刻于高雄第一期工廠作為生產2納米制程。此前據TechNews消息,臺積電在北部(新竹寶山)、中部(臺中
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臺積電 2nm 1.4nm
Silicon Labs(亦稱“芯科科技”)接續著連接標準聯盟(CSA,Connectivity Standards Alliance)宣布其全面支持最新發布的Matter 1.2標準。Matter 1.2版本是該協議自2022年秋季發布以來的第二次更新?;谝荒赀M行兩次更新的步調,可以幫助開發者引入新的設備類型,將Matter擴展到新的市場,同時可帶來互操作性和用戶體驗提升方面的其他改進。Matter協議旨在利用Wi-Fi和Thread等現有的IP網絡技術來實現智能家居設備的互聯互通,以建立一種新的開放
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芯科 Matter 1.2
●? ?介紹隨著技術推進到1.5nm及更先進節點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現具有挑戰性的制造工藝,需要進行工藝調整。為應對這些挑戰,我們嘗試在1.5nm節點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產了一組新的后段器件集成掩膜版,以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前兩類是1.5nm節點后段的最小目標金屬間距
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半大馬士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
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