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Fairchild推出采用SC-75封裝的MicroFET功率開(kāi)關(guān)
- 飛兆半導(dǎo)體推出MicroFET功率開(kāi)關(guān)產(chǎn)品FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z，適用于充電、異步DC/DC和負(fù)載開(kāi)關(guān)等低功耗 (<30V) 應(yīng)用。這些功率開(kāi)關(guān)可在低至1.5V的柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電壓下工作，同時(shí)提供較之于其它解決方案降低75% 的RDS(ON)和降低66% 的熱阻。FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench® 技術(shù)，封裝為2.0mm x 1.6mm SC-75，較3 x 3mm SSOT-6封裝及SC-70封裝體積分別減小65%
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 MicroFET 功率開(kāi)關(guān) 工業(yè)控制
飛兆半導(dǎo)體推出7款MLP封裝MicroFET產(chǎn)品
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出7款全新MicroFET™產(chǎn)品，為面向30V 和20V以下低功耗應(yīng)用業(yè)界最廣泛的小外形尺寸器件系列增添新成員。這些MicroFET產(chǎn)品在單一器件中結(jié)合飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench®和封裝技術(shù)，比較傳統(tǒng)的MOSFET在性能和空間方面帶來(lái)更多優(yōu)勢(shì)。例如，它們采用2mm x 2mm x 0.8mm模塑無(wú)腳封裝(MLP)，較之于低壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm SSOT-6封裝MOSFET體
- 關(guān)鍵字： MicroFET MLP 單片機(jī) 飛兆半導(dǎo)體 嵌入式系統(tǒng) 封裝
Fairchild推出MLP封裝小外形低功耗應(yīng)用MicroFET產(chǎn)品
- 飛兆半導(dǎo)體推出7款全新MicroFET產(chǎn)品，為面向30V 和20V以下低功耗應(yīng)用業(yè)界最廣泛的小外形尺寸器件系列增添新成員。這些MicroFET產(chǎn)品在單一器件中結(jié)合飛兆半導(dǎo)體先進(jìn)的PowerTrench®和封裝技術(shù)，比較傳統(tǒng)的MOSFET在性能和空間方面帶來(lái)更多優(yōu)勢(shì)。例如，它們采用2mm x 2mm x 0.8mm模塑無(wú)腳封裝(MLP)，較之于低壓設(shè)計(jì)中常用的3mm x 3mm x 1.1mm SSO
- 關(guān)鍵字： MicroFET MLP 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 模擬技術(shù) 封裝
飛兆半導(dǎo)體推出11種MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品
- 飛兆半導(dǎo)體的 MicroFET™系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中 節(jié)省空間并延長(zhǎng)電池壽命 擴(kuò)展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi) 最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™ MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強(qiáng)型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0
- 關(guān)鍵字： Fairchild MicroFET™ MOSFET 單片機(jī) 飛兆 嵌入式系統(tǒng)
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