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          天璣9400繼續采用全大核架構 外加N3E工藝加持

          • 11月6日,聯發科發布的新一代的旗艦平臺天璣9300處理器大膽創新,取消了低功耗核心簇,轉而采用“全大核”架構,包含四顆Cortex-X4 超大核(最高頻率可達3.25GHz)以及四顆主頻為2.0GHz的Cortex-A720大核。雖然此前曾有傳言稱這款芯片存在過熱問題,但聯發科予以否認并聲稱其性能表現出色。近期有爆料稱聯發科并沒有因天璣9300的爭議而改變策略,反而將在明年的天璣9400上繼續采用“全大核”架構。日前有消息源還透露了明年的旗艦芯片天璣9400將首次用上臺積電的N3E制程工藝 ——&nbs
          • 關鍵字: 天璣  架構  N3E  聯發科  3nm  芯片  

          臺積電推進N3E制程工藝量產 蘋果下單承諾為iPhone 16備貨

          • 據外媒報道,按iPhone所搭載的A系列芯片制程工藝不斷升級的慣例,在iPhone 15 Pro系列搭載由臺積電采用第一代3nm制程工藝代工的A17 Pro芯片之后,蘋果明年秋季將推出的iPhone 16系列,就將部分或全部搭載由第二代3nm制程工藝代工的A18芯片。也就意味著臺積電的這一制程工藝,在明年蘋果推出iPhone 16系列之前,就將具備大批量代工的能力,能為iPhone 16的備貨提供芯片上的支持。蘋果在iPhone 15 Pro和iPhone 15 Pro Max兩款機型上,裝備了采用N3B
          • 關鍵字: 臺積電  N3E  制程  蘋果  iPhone  

          高通驍龍8 Gen 4將基于N3E工藝打造,啟用自研Nuvia架構

          • 最新外媒爆料透露,計劃2024年底推出的高通驍龍8 Gen 4將基于臺積電N3E工藝打造。據悉,蘋果的A17芯片將會率先商用臺積電3nm工藝,初期使用N3B工藝,后期切換到N3E工藝。在蘋果A17芯片之后,高通也將會擁抱臺積電3nm工藝。#01據悉,臺積電3nm工藝家族包含N3B、N3E、N3P、N3X、N3S等多個版本,其中N3B是初始版本,對比N5,N3B在同等功耗下性能提升12%、同等性能下功耗降低27%,但性能、功耗、量產良率和進度等都未達臺積電預期。于是有了增強版的N3E,臺積電N3E修復了N3
          • 關鍵字: 高通  驍龍  N3E  Nuvia  臺積電  

          楷登電子成功流片基于臺積電N3E工藝的16G UCIe先進封裝IP

          • 近日,楷登電子(Cadence)宣布基于臺積電3nm(N3E)工藝技術的Cadence? 16G UCIe? 2.5D先進封裝IP成功流片。該IP采用臺積電3D Fabric? CoWoS-S硅中介層技術實現,可提供超高的帶寬密度、高效的低功耗性能和卓越的低延遲,非常適合需要極高算力的應用。據悉,楷登電子目前正與許多客戶合作,來自N3E測試芯片流片的UCIe先進封裝IP已開始發貨并可供使用。這個預先驗證的解決方案可以實現快速集成,為客戶節省時間和精力。
          • 關鍵字: 楷登電子  臺積電  N3E  UCIe  先進封裝  IP  

          傳聞稱蘋果M3芯片預計采用臺積電N3E工藝制造

          • 最新消息稱,除了蘋果iPhone 15系列所搭載的A17之外,蘋果新款MacBook Air、iPad Air/Pro預計將采用臺積電的N3E工藝制造的M3芯片,這些搭載新芯片的產品可能會分別在今年下半年和明年上半年陸續推出。此前,有報道稱新款15英寸MacBook Air將采用與2022年13英寸MacBook Pro一起推出的M2芯片。然而,據爆料稱蘋果新款MacBook Air可能會搭載M3處理器性能,相比于M2 Max提升24%(單核)和6%(多核),但可能無緣在6月6日的蘋果WWDC開發者大會上
          • 關鍵字: 蘋果  M3  芯片  臺積電  N3E  工藝  

          解析下一代iPhone將采用的臺積電N3E芯片技術

          • 蘋果目前正在研發的A17處理器將使用臺積電的N3E芯片制造技術進行大規模生產,并且N3E很可能是首發用于A17處理器,包括之后的蘋果M系列芯片。
          • 關鍵字: iPhone  臺積電  N3E  芯片  

          臺積電稱即將完成 N3E 節點

          • 臺積電正在開發多個 N3 節點,目前至少 N3、N3B 和 N3E 正在開發中。N3 計劃于 2023 年投產,N3E 節點原定于 2024 年投產。N3E 節點原本是 N3 節點的增強版本,基于更少的 EUV 層的的設計,據說從 25 層降至 21 層,這將使其更容易制造。據悉據說 N3E 節點的密度比原始 N3 節點低 8% 左右,但仍比 N5 節點高 60% 左右。相比之下,據說 N3 節點的邏輯密度比 N5 節點高 70%。   最新的報告顯示, 臺積電N
          • 關鍵字: 臺積電  N3E 節點  
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