<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

速來搶位｜11.14上海｜NI全聯(lián)結峰會2024 北京｜上海｜來與TI一起探索嵌入式未來來這里瞧瞧NXP技術培訓視頻吧>> 來學習NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

我要投稿 | 手機版

首頁　資訊　商機　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> nan閃存

nan閃存文章進入nan閃存技術社區(qū)

三星將在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 層 QLC 閃存，速率可達 3.2GB/s

IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路會議（ISSCC）將于 2 月 18 日至 22 日在舊金山舉行，是世界學術界和企業(yè)界公認的集成電路設計領域最高級別會議。根據(jù)會議公開內容：屆時三星將展示其 GDDR7 內存以及 280 層 3D QLC NAND 閃存等技術，其中 GDDR7 IT之家此前已有相關報道，而 280 層 QLC 閃存將成為迄今為止數(shù)據(jù)密度最高的新型 NAND 閃存技術。從三星給出的主題“A 280-Layer 1Tb
關鍵字：三星 NAN閃存 GDDR7

共1條 1/1 1

nan閃存介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nan閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nan閃存的理解，并與今后在此搜索nan閃存的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派 linux

關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社版權所有北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();