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          世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源

          • 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz,工作頻率再往上升,將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大;再者Qg的大小也會影響關斷速度,而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體,雖然它們比硅更難制造及更昂貴,但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性,使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似,可以幫助下一個產(chǎn)品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
          • 關鍵字: GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi  
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          ncp51561介紹

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