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韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機(jī)性能
- 韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出,1組韓國工程師已改良手機(jī)用芯片技術(shù),可大幅提升手機(jī)性能。 首爾大學(xué)表示,該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的NOR芯片,可克服過去的諸多缺點(diǎn)。負(fù)責(zé)人表示,盡管NOR芯片能快速回溯資料,但卻因?yàn)镹OR芯片的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被NAND芯片擊敗。相較之下,NAND Flash可儲(chǔ)存32GB的資料,占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機(jī)和USB存儲(chǔ)器等裝置上。 一般的NOR芯片通常并不特別,不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點(diǎn)。該團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)教授表示
- 關(guān)鍵字: Samsung NAND NOR芯片
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