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          NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā)

          • NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
            隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展,其應用環(huán)境的廣泛性,復雜性對構建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求,需要閃存設備傳輸速度更快,體積更小,容量更大,穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
          • 關鍵字: NandFLASH  NorFLASH  接口設計  驅(qū)動開發(fā)  

          臺二線封測廠營運展望漸入佳境車用電子NORFlash需求熱絡

          •   2017年臺系半導體封測產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)營運逐季升溫趨勢,封測業(yè)者表示,在最大宗的移動通訊應用領域,由于iPhone新品姍姍來遲,加上臺系IC設計大廠聯(lián)發(fā)科等調(diào)整戰(zhàn)略,以及整合面板觸控IC(TDDIIC)等新品第4季量能才大增,能夠守穩(wěn)功率元件如MOSFET、PMIC、車用MCU、NORFlash、DRAM、MEMS傳感器、CMOS傳感器的二線封測廠如欣銓、捷敏、華東、矽格、逸昌、菱生等,營運表現(xiàn)相對于一線業(yè)者更為突出,而臺積電旗下精材、鴻海旗下訊芯,則是市場看好未來營運具有轉機的潛力業(yè)者。   半導體業(yè)者
          • 關鍵字: 封測  NORFlash  

          大容量存儲的NOR FLASH的原理及應用

          • VDRF256M16是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的NOR FLASH,可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速緩存。文中介紹了該芯片的結構和原理,并同時給出了一個系統(tǒng)中大容量、高速數(shù)據(jù)傳輸要求的設計方案。
          • 關鍵字: 大容量  存儲  NORFlash  

          NORFlash與8位單片機的接口設計方法研究

          • 引 言 Flash存儲器又稱閃速存儲器,是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM ...
          • 關鍵字: NORFlash  8位單片機  SST39SF040  

          NandFlash系列之一:NorFlash與NandFlash對比

          •   FLASH存儲器又稱閃存,主要有兩種:NorFlash和NandFlash,下面我們從多個角度來對比介紹一下。在實際開發(fā)中,設 ...
          • 關鍵字: NandFlash  NorFlash  s3c2410  

          大容量NORFlash與8位單片機的接口設計

          • 引 言Flash存儲器又稱閃速存儲器,是20世紀80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點,既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持數(shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一
          • 關鍵字: 設計  接口  單片機  NORFlash  大容量  

          NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā)

          • NandFLASH和NorFLASH接口設計和驅(qū)動開發(fā),0 引 言
            隨著嵌入式系統(tǒng)的迅速發(fā)展,其應用環(huán)境的廣泛性,復雜性對構建于系統(tǒng)上的Nor和Nand閃存設備提出更高要求,需要閃存設備傳輸速度更快,體積更小,容量更大,穩(wěn)定性更好。該文在基于Samsung公司的S3C2410
          • 關鍵字: 驅(qū)動  開發(fā)  設計  接口  NorFLASH  NandFLASH  

          在WinCE下,應用程序直接讀/寫/擦除flash設備的方法

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
          • 關鍵字: WinCE  讀/寫/擦除flash  NORFlash  FAL+FMD架構  
          共8條 1/1 1

          norflash介紹

          NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在: 1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同 應用程序?qū)OR芯片操作以“字”為基本單位。為了方便對大容量NOR閃存的管理,通常將NOR閃存分成大小為128KB或者64KB的邏輯塊,有時候塊內(nèi)還分成扇區(qū)。讀寫時需要同時指定邏輯塊號和塊內(nèi)偏移。應用程序?qū) AN D芯片操作是以“塊”為基本單位。NAND閃存的塊比較小,一般是8KB,然后每塊又分成頁,頁 [ 查看詳細 ]

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