nv6117 文章 進入nv6117技術社區(qū)
基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
- 傳統(tǒng)的功率半導體被設計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失??墒菍嶋H上,出于兩個方面的原因-傳導和開關切換,設備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術,其改善開關切換的延遲時間。納微(Navitas)半導體公司是世界上第一家的氮化鎵( GaN )功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片,其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成,并全部采用 650V GaN 工藝,從而實現(xiàn)許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
- 關鍵字: NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
共1條 1/1 1 |
nv6117介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條nv6117!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nv6117的理解,并與今后在此搜索nv6117的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對nv6117的理解,并與今后在此搜索nv6117的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473