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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> nvsram

          賽普拉斯推出帶四個(gè)串行外設(shè)接口的1Mb nvSRAM,針對(duì)需要掉電時(shí)進(jìn)行高可靠性數(shù)據(jù)保存的大數(shù)據(jù)吞吐量應(yīng)用

          •   賽普拉斯半導(dǎo)體公司今天宣布推出一款具有四個(gè)串行外設(shè)接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個(gè)SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下,超越尺寸更大的并行接口器件的數(shù)據(jù)吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲(chǔ)設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化、計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用在掉電時(shí),無(wú)需電池即可保存大吞吐量的數(shù)據(jù)。   四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時(shí)鐘頻率為108MHz,其性能超過(guò)了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問(wèn)時(shí)間)器件。該nvS
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          賽普拉斯擴(kuò)充業(yè)界領(lǐng)先的非易失性RAM產(chǎn)品發(fā)布全新16Mb并行nvSRAM系列

          •   賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM),包括具有異步并行和異步開(kāi)放式NAND閃存接口(ONFI)標(biāo)準(zhǔn)1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴(kuò)展了賽普拉斯的產(chǎn)品線,以滿足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲(chǔ)設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)/錯(cuò)誤日志記錄器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、航空電子系統(tǒng)以及電子游戲機(jī)等關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的需求。   16 Mb nvSRAM是市場(chǎng)上最快的高容量異步非易失性RAM,存取時(shí)間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC),
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          LSI選擇賽普拉斯并行nvSRAM非易失性存儲(chǔ)器

          • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,LSI在其用于高性能服務(wù)器、工作站和外部存儲(chǔ)器的12Gb/s SAS主機(jī)總線適配器(HBA)中,選用了賽普拉斯的并行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)。nvSRAM為SAS HBA帶來(lái)高速度、低電壓、無(wú)故障的存儲(chǔ)器,提升了LSI解決方案的性能。LSI選擇并行nvSRAM的另一個(gè)原因是它可工作在不同的電壓下,而且廣受媒體好評(píng)。
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          賽普拉斯推出世界快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器產(chǎn)品系列

          • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼:CY)日前宣布,該公司在其產(chǎn)品系列中整合了Ramtron International的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)產(chǎn)品,提供了市場(chǎng)上最豐富的快速寫(xiě)入非易失性存儲(chǔ)器容量范圍選擇。F-RAM是業(yè)界最低功耗的非易失性存儲(chǔ)器,為賽普拉斯全球速度最快的非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器提供了有效補(bǔ)充。
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          Cypress推出1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器

          •   賽普拉斯半導(dǎo)體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM)系列,以及新的擁有集成實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。   賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8? 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù),能達(dá)到更大的密度并改善存取時(shí)間和性能。nvSRAM對(duì)于要求絕對(duì)數(shù)據(jù)非易失安全性的應(yīng)用來(lái)說(shuō)是理想的選擇,如RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制和自動(dòng)化(如PLC,
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          賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM

          •   日前,賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(nvSRAM),進(jìn)一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產(chǎn)品系列。該新型產(chǎn)品的存取時(shí)間短至 20 納秒,支持無(wú)限次的讀寫(xiě)與調(diào)用循環(huán),而且數(shù)據(jù)能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續(xù)高速寫(xiě)入數(shù)據(jù)和絕對(duì)非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用提供了最佳解決方案,因此成為了服務(wù)器、RAID 應(yīng)用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車、醫(yī)療以及數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的理想選擇。   CY14B102 2 Mbi
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          新一代非易失性存儲(chǔ)器——NVSRAM的原理和應(yīng)用

          • 摘要: 本文介紹了針對(duì)高端存儲(chǔ)應(yīng)用的最新非易失性存儲(chǔ)器NVSRAM??梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)。關(guān)鍵詞: Flash;EEPROM;SRAM;NVSRAM 概述眾所周知,在非易失性存儲(chǔ)器領(lǐng)域,市場(chǎng)熱度節(jié)節(jié)攀升。近日,SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫(xiě),即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲(chǔ)器,并介紹NVSRAM的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì), NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲(chǔ)器應(yīng)用
          • 關(guān)鍵字: 0701_A  NVSRAM  SRAM  消費(fèi)電子  雜志_技術(shù)長(zhǎng)廊  存儲(chǔ)器  消費(fèi)電子  
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