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賽普拉斯推出帶四個串行外設(shè)接口的1Mb nvSRAM，針對需要掉電時進行高可靠性數(shù)據(jù)保存的大數(shù)據(jù)吞吐量應(yīng)用
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司今天宣布推出一款具有四個串行外設(shè)接口(SPI)的1Mb 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)。 這一新款nvSRAM的四個SPI接口使得該器件可以在尺寸更小的情況下，超越尺寸更大的并行接口器件的數(shù)據(jù)吞吐量。該款nvSRAM可為RAID存儲設(shè)備、工業(yè)自動化、計算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用在掉電時，無需電池即可保存大吞吐量的數(shù)據(jù)。 四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高時鐘頻率為108MHz，其性能超過了并行接口(x8 IO 寬度, 45-ns 訪問時間)器件。該nvS
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賽普拉斯擴充業(yè)界領(lǐng)先的非易失性RAM產(chǎn)品發(fā)布全新16Mb并行nvSRAM系列
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布推出一系列16Mb非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)，包括具有異步并行和異步開放式NAND閃存接口(ONFI)標(biāo)準(zhǔn)1.0接口的器件.。這一16 Mb nvSRAM系列擴展了賽普拉斯的產(chǎn)品線，以滿足高端可編程邏輯控制器(PLC)、存儲設(shè)備中的高速數(shù)據(jù)/錯誤日志記錄器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、航空電子系統(tǒng)以及電子游戲機等關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用的需求。 16 Mb nvSRAM是市場上最快的高容量異步非易失性RAM，存取時間可低至25 ns。賽普拉斯的新器件可選擇集成實時時鐘(RTC)，
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Cypress推出1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器
- 賽普拉斯半導(dǎo)體日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器(nvSRAM)系列，以及新的擁有集成實時時鐘(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。 賽普拉斯的nvSRAM是基于其S8? 0.13-微米 SONOS(Silicon Oxide Nitride Oxide Silicon)嵌入式非易失性存儲器技術(shù)，能達到更大的密度并改善存取時間和性能。nvSRAM對于要求絕對數(shù)據(jù)非易失安全性的應(yīng)用來說是理想的選擇，如RAID系統(tǒng)、工業(yè)控制和自動化(如PLC，
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賽普拉斯推出2Mbit和8Mbit nvSRAM
- 日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司宣布推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性靜態(tài)隨機存取存儲器（nvSRAM），進一步豐富了公司旗下從 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 產(chǎn)品系列。該新型產(chǎn)品的存取時間短至 20 納秒，支持無限次的讀寫與調(diào)用循環(huán)，而且數(shù)據(jù)能保存 20 年之久。nvSRAM 為需要持續(xù)高速寫入數(shù)據(jù)和絕對非易失性數(shù)據(jù)安全的應(yīng)用提供了最佳解決方案，因此成為了服務(wù)器、RAID 應(yīng)用、惡劣環(huán)境下的工業(yè)控制、汽車、醫(yī)療以及數(shù)據(jù)通信等領(lǐng)域的理想選擇。 CY14B102 2 Mbi
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新一代非易失性存儲器——NVSRAM的原理和應(yīng)用
- 摘要： 本文介紹了針對高端存儲應(yīng)用的最新非易失性存儲器NVSRAM?？梢愿鶕?jù)應(yīng)用要求以及功能需要選擇最佳的非易失性存儲器架構(gòu)。關(guān)鍵詞： Flash；EEPROM；SRAM；NVSRAM 概述眾所周知，在非易失性存儲器領(lǐng)域，市場熱度節(jié)節(jié)攀升。近日，SRAM家族又增加了新的成員—NVSRAM。NVSRAM 為 Non-volatile SRAM縮寫，即為非易失性SRAM。本文將比較各類非易失性存儲器，并介紹NVSRAM的特點和優(yōu)勢， NVSRAM 的應(yīng)用以及工作方式。 非易失性存儲器應(yīng)用
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