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TSMC 揭開納米片晶體管的帷幕 英特爾展示了這些設(shè)備可以走多遠(yuǎn)
- 臺(tái)積電本周在舊金山舉行的 IEEE 國(guó)際電子設(shè)備會(huì)議 （IEDM） 上介紹了其下一代晶體管技術(shù)。N2 或 2 納米技術(shù)是這家半導(dǎo)體代工巨頭首次涉足一種新的晶體管架構(gòu)，稱為納米片(Nanosheet)或全環(huán)繞柵極。三星有制造類似設(shè)備的工藝，英特爾和臺(tái)積電都預(yù)計(jì)在 2025 年生產(chǎn)它們。與臺(tái)積電目前最先進(jìn)的工藝 N3（3 納米）相比，這項(xiàng)新技術(shù)可將能效提高 15% 或提高 30%，同時(shí)將密度提高 15%。N2是“四年多的勞動(dòng)成果”，臺(tái)積電研發(fā)和先進(jìn)技術(shù)副總裁Geoffrey Ye
- 關(guān)鍵字： TSMC 納米片晶體管 英特爾 Nanosheet
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