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超薄雙管MOSFET
- 封裝的創(chuàng)新非常重要,尤其是在設(shè)計適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。 計算機、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路,以提升電源效率,但其難點是如何設(shè)計出盡可能小的外形尺寸?,F(xiàn)在,設(shè)計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合,同時實現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。 最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集,同時還可
- 關(guān)鍵字: MOSFET 封裝 NexFET
空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹
- 摘要本文詳細介紹了熱插拔電路基礎(chǔ),以及要求使用系統(tǒng)保護與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設(shè)計人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時,我們?yōu)槟榻B了一種框架
- 關(guān)鍵字: PMBus、熱插拔電路、SPM、電信電源架構(gòu)、MOSFET、NexFET、電源管理、半導(dǎo)體、德州儀器、TI
TI推出可在25A電流下實現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋
- 德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實現(xiàn)超過 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋,其占位面積僅為同類競爭功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過高級封裝將 2 個非對稱 NexFET 功率 MOSFET 進行完美整合,可為服務(wù)器、臺式機與筆記本電腦、基站、交換機、路由器以及高電流負載點 (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實現(xiàn)高性能。更多詳情,敬請訪問:www.ti.com.cn/powerblock-prcn。 NexF
- 關(guān)鍵字: TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D
TI 推出面向高電流 DC/DC 應(yīng)用的功率MOSFET
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布面向高電流 DC/DC 應(yīng)用推出業(yè)界第一個通過封裝頂部散熱的標準尺寸功率 MOSFET 產(chǎn)品系列。相對其它標準尺寸封裝的產(chǎn)品,DualCool™ NexFET™ 功率 MOSFET 有助于縮小終端設(shè)備的尺寸,同時還可將MOSFET允許的電流提高 50%,并改進散熱管理。 該系列包含的 5 款 NexFET 器件支持計算機與電信系統(tǒng)設(shè)計人員使用具有擴充內(nèi)存及更高電流的處理器,同時顯著節(jié)省板級空間。這些采用高級封裝的 MOSFET 可廣泛用于
- 關(guān)鍵字: TI MOSFET DualCool NexFET
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