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P溝道功率MOSFETs及其應(yīng)用領(lǐng)域

• Littelfuse P溝道功率MOSFETs，雖不及廣泛使用的N溝道MOSFETs出名，在傳統(tǒng)的應(yīng)用范圍也較有限，然而，隨著低壓（LV）應(yīng)用需求的增加，P溝道功率MOSFET的應(yīng)用范圍得到拓展。高端側(cè)（HS）應(yīng)用P溝道的簡(jiǎn)易性使其對(duì)低壓變換器（<120 V）和非隔離的負(fù)載點(diǎn)更具吸引力。因?yàn)闊o需電荷泵或額外的電壓源，高端側(cè)（HS）P溝道MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，具有設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、節(jié)省空間，零件數(shù)量少等特點(diǎn)，提升了成本效率。本文通過對(duì)N 溝道和P溝道MOSFETs進(jìn)行比較，介紹Littelfuse P溝道功率
• 關(guān)鍵字： 202404  P溝道功率MOSFET  MOSFET