<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

UWB - 智能物聯(lián)的未來之星，你怎么看他？低功耗Wi-Fi解決方案在智能家居的應(yīng)用和發(fā)展結(jié)合超寬帶測距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級IoT應(yīng)用來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>>

我要投稿 | 手機(jī)版

首頁　資訊　商機(jī) 　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> pgnd

pgnd 文章進(jìn)入pgnd技術(shù)社區(qū)

Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級模塊，輸出電流提高11 %

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級模塊 ——?SiZF300DT?,將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix??SiZF300DT?提高了功率密度和效率,同時有助于減少元器件數(shù)量,簡化設(shè)計,適用于計算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。日前發(fā)布器件中
關(guān)鍵字： MOSEFET PGND

共1條 1/1 1

pgnd介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條pgnd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對pgnd的理解，并與今后在此搜索pgnd的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();