phth-1 文章進(jìn)入phth-1技術(shù)社區(qū)

Nordic Semiconductor 賦能Matter 1.3 認(rèn)證的智能煙霧和一氧化碳探測器模塊

Nordic Semiconductor設(shè)計(jì)合作伙伴 HooRii Technology 推出了一款通過 Matter 1.3 認(rèn)證的模塊，可使智能煙霧和一氧化碳(CO)探測器在緊急情況下觸發(fā)聲音警報(bào)，并向 Matter 生態(tài)系統(tǒng)內(nèi)的聯(lián)網(wǎng)設(shè)備發(fā)送近乎實(shí)時(shí)的通知?！癏ooRii 煙霧和一氧化碳報(bào)警”模塊專為物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備 OEM 設(shè)計(jì)，采用了 Nordic 的 nRF52840 SoC。該多協(xié)議 SoC 適用于開發(fā) Matter 互聯(lián)家居產(chǎn)品，并通過 Thread 連接進(jìn)行傳輸，
關(guān)鍵字： Nordic Semiconductor Matter 1.3 智能煙霧一氧化碳探測器模塊

基于Qualcomm S7 Pro Gen 1平臺(tái)TWS耳機(jī)方案

在藍(lán)牙音頻產(chǎn)品市場.高通平臺(tái)都是該領(lǐng)域的高端首選.作為引領(lǐng)市場發(fā)展風(fēng)向的指標(biāo).近期更是首創(chuàng)結(jié)合高性能、低功耗計(jì)算、終端側(cè)AI和先進(jìn)連接的新一代旗艦平臺(tái)Qualcomm S7 Pro Gen1. 開啟音頻創(chuàng)新全新時(shí)代，打造突破性的用戶體驗(yàn)。為通過超低功耗實(shí)現(xiàn)高性能的音頻樹立了全新標(biāo)桿。第一代高通S7和S7 Pro平臺(tái)利用無與倫比的終端側(cè)AI水平打造先進(jìn)、個(gè)性化且快速響應(yīng)的音頻體驗(yàn)。全新平臺(tái)的計(jì)算性能是前代平臺(tái)的6倍，AI性能是前代平臺(tái)的近100倍，并以低功耗帶來全新層級(jí)的超旗艦性能。高通S7 Pro是首
關(guān)鍵字： Qualcomm S7 Pro Gen 1 TWS耳機(jī)

蘋果宣布iOS 18.1開放NFC芯片，暫無中國上線信息

8月15日消息，蘋果公司于周三宣布，將允許第三方使用iPhone的支付芯片處理交易，這意味著銀行和其他服務(wù)將能與Apple Pay平臺(tái)進(jìn)行直接競爭。這一決策是在歐盟及其他監(jiān)管機(jī)構(gòu)多年施壓后做出的。蘋果表示，從即將發(fā)布的iOS 18.1版本開始，開發(fā)者將可以使用這一組件。支付芯片采用名為NFC（近場通信）的技術(shù)，能在手機(jī)靠近另一臺(tái)設(shè)備時(shí)實(shí)現(xiàn)信息共享。此項(xiàng)變革將允許外部供應(yīng)商利用NFC芯片執(zhí)行店內(nèi)支付、交通系統(tǒng)票務(wù)、工牌、家庭及酒店鑰匙以及獎(jiǎng)勵(lì)卡等功能。蘋果公司還表示，支持政府身份證的功能將在后續(xù)推出。此外，
關(guān)鍵字：蘋果 iOS 18.1 NFC芯片

首發(fā)18A工藝！Intel第三代酷睿Ultra Panther Lake已點(diǎn)亮明年見

8月7日消息，Intel即將發(fā)布第二代酷睿Ultra處理器，包括低功耗的Lunar Lake(9月4日0點(diǎn))、高性能的Arrow Lake(10月K系列其他明年CES)，現(xiàn)在又公布了后續(xù)第三代酷睿Ultra Lunar Lake。Intel官方宣布，Intel 18A(1.8nm級(jí)別)制造工藝、Panther Lake酷睿處理器、Clearwater Forest至強(qiáng)處理器(或?yàn)橹翉?qiáng)7)都已經(jīng)走出實(shí)驗(yàn)室，成功點(diǎn)亮，并進(jìn)入操作系統(tǒng)！其中，Panther Lake搭配的內(nèi)存已經(jīng)可以運(yùn)行在設(shè)定的頻率上，顯示性能
關(guān)鍵字：英特爾酷睿處理器 18A 1.8nm

特斯拉推送 FSD v12.5.1 更新，變道更早、更自然

7 月 28 日消息，特斯拉開始向用戶推送 FSD（Supervised）v12.5.1 更新，據(jù)悉該版本包含多項(xiàng)改進(jìn)，包括將城市和高速公路駕駛功能整合，并首次支持 Cybertruck 車型。特斯拉FSD（Supervised）v12.5.1版本于周五開始向部分用戶的車輛推送，據(jù) Not a Tesla App 平臺(tái)顯示，該更新同 2024.20.15 軟件一起推送。此前數(shù)周，馬斯克曾多次預(yù)告該版本的部分功能，新版本的一大亮點(diǎn)是更早、更自然的車道變更。該版本備受期待，因?yàn)轳R斯克曾在 5 月份表示
關(guān)鍵字：特斯拉 FSD v12.5.1 變道 Cybertruck 輔助駕駛

英特爾AI解決方案為最新Meta Llama 3.1模型提供加速

為了推動(dòng)“讓AI無處不在”的愿景，英特爾在打造AI軟件生態(tài)方面持續(xù)投入，并為行業(yè)內(nèi)一系列全新AI模型提供針對(duì)英特爾AI硬件的軟件優(yōu)化。今日，英特爾宣布公司橫跨數(shù)據(jù)中心、邊緣以及客戶端AI產(chǎn)品已面向Meta最新推出的大語言模型（LLM）Llama 3.1進(jìn)行優(yōu)化，并公布了一系列性能數(shù)據(jù)。繼今年4月推出Llama 3之后，Meta于7月24日正式發(fā)布了其功能更強(qiáng)大的AI大模型Llama 3.1。Llama 3.1涵蓋多個(gè)不同規(guī)模及功能的全新模型，其中包括目前可獲取的、最大的開放基礎(chǔ)模型—— Llama 3.1
關(guān)鍵字：英特爾 AI解決方案 Meta Llama 3.1

實(shí)測藍(lán)牙Mesh 1.1性能更新深入理解并徹底優(yōu)化

藍(lán)牙Mesh 1.1版本中引入了遠(yuǎn)程配置和無線裝置韌體更新（OTA DFU）的功能。本文將透過廣泛部署基于Silicon Labs（芯科科技）的xG24和xG21無線SoC開發(fā)板的節(jié)點(diǎn)并組成網(wǎng)絡(luò)，來分析在多個(gè)測試節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行的一系列實(shí)驗(yàn)結(jié)果，進(jìn)一步探索藍(lán)牙Mesh 1.1網(wǎng)絡(luò)的性能，包括網(wǎng)絡(luò)等待時(shí)間、遠(yuǎn)程配置和OTA、DFU性能的詳細(xì)測試設(shè)置和結(jié)果等實(shí)用資料。測試網(wǎng)絡(luò)及條件隨著網(wǎng)絡(luò)中節(jié)點(diǎn)數(shù)量的增加或數(shù)據(jù)報(bào)負(fù)載的增加，延遲也會(huì)相應(yīng)增加。相比于有效負(fù)載，網(wǎng)絡(luò)對(duì)延遲的影響較小，但后者可能導(dǎo)致延遲大幅增加。測試環(huán)境
關(guān)鍵字： Silicon Labs 藍(lán)牙Mesh 1.1

大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案

致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于意法半導(dǎo)體（ST）ST-ONEHP器件的140W USB PD3.1快充方案。圖示1—大聯(lián)大友尚基于ST產(chǎn)品的140W USB PD3.1快充方案的展示板圖近年來，快充行業(yè)不斷經(jīng)歷創(chuàng)新升級(jí)，每一次技術(shù)的躍進(jìn)都為充電的效率與安全性帶來革命性變革。特別是USB PD3.1快充標(biāo)準(zhǔn)的引入，更是為該行業(yè)的發(fā)展樹立了新的里程碑。該標(biāo)準(zhǔn)不僅將最大充電功率提升至240W，同時(shí)新增多組固定和可調(diào)輸出電壓檔位，可為各種電子設(shè)備提供更加靈活
關(guān)鍵字：友尚集團(tuán) ST 140W USB PD3.1 快充方案

研華發(fā)布RK3588 SMARC 2.1核心模塊ROM-6881助力機(jī)器視覺應(yīng)用智能升級(jí)

研華發(fā)布核心模塊ROM-6881，采用SGeT協(xié)會(huì)SMARC2.1標(biāo)準(zhǔn)，集成瑞芯微全新一代AIOT旗艦處理器RK3588/RK3588J，具備強(qiáng)大的計(jì)算性能，高AI算力，滿足多媒體處理需求。憑借低功耗，豐富的IO接口設(shè)計(jì)，ROM-6881實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比、工規(guī)可靠、10年生命周期支持，助力機(jī)器人，醫(yī)療，能源行業(yè)打造更快速，更高效的智能邊緣AI方案。
關(guān)鍵字：研華 RK3588 SMARC 2.1 ROM-6881 機(jī)器視覺

三星電子重申 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，計(jì)劃進(jìn)軍共封裝光學(xué)領(lǐng)域

IT之家 6 月 13 日消息，三星電子在當(dāng)?shù)貢r(shí)間 6 月 12 日舉行的三星代工論壇 2024 北美場上重申，其 SF1.4 工藝有望于 2027 年量產(chǎn)，回?fù)袅舜饲暗拿襟w傳聞。三星表示其 1.4nm 級(jí)工藝準(zhǔn)備工作進(jìn)展順利，預(yù)計(jì)可于 2027 年在性能和良率兩方面達(dá)到量產(chǎn)里程碑。此外，三星電子正在通過材料和結(jié)構(gòu)方面的創(chuàng)新，積極研究后 1.4nm 時(shí)代的先進(jìn)邏輯制程技術(shù)，實(shí)現(xiàn)三星不斷超越摩爾定律的承諾。三星電子同步確認(rèn)，其仍計(jì)劃在 2024 下半年量產(chǎn)第二代 3nm 工藝 SF3。而在更傳統(tǒng)的
關(guān)鍵字：三星 1.4nm 晶圓代工

Intel 14A工藝至關(guān)重要！2025年之后穩(wěn)定領(lǐng)先

這幾年，Intel以空前的力度推進(jìn)先進(jìn)制程工藝，希望以最快的速度反超臺(tái)積電，重奪領(lǐng)先地位，現(xiàn)在又重申了這一路線，尤其是意欲通過未來的14A 1.4nm級(jí)工藝，在未來鞏固自己的領(lǐng)先地位。目前，Intel正在按計(jì)劃實(shí)現(xiàn)其“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”的目標(biāo)，Intel 7工藝、采用EUV極紫外光刻技術(shù)的Intel 4和Intel 3均已實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。其中，Intel 3作為升級(jí)版，應(yīng)用于服務(wù)器端的Sierra Forest、Granite Rapids，將在今年陸續(xù)發(fā)布，其中前者首次采用純E核設(shè)計(jì)，最多288個(gè)。In
關(guān)鍵字：英特爾晶圓芯片先進(jìn)制程 1.4nm

三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項(xiàng)目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
關(guān)鍵字：三星 AI Mach-1 原型試產(chǎn) 4nm 工藝

臺(tái)積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)

幾個(gè)月前，臺(tái)積電發(fā)布了 2023 年年報(bào)，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_(tái)積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺(tái)積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺(tái)積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場之前還有很長的路要走，很可能會(huì)在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會(huì)在未來五年甚至更長的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。著
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 Angstrom 14 1.4納米工藝

大聯(lián)大詮鼎集團(tuán)推出基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案

致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商—大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下詮鼎推出基于立锜科技（Richtek）RT7333、RT7795、RT7220E以及RT7209芯片的240W PD3.1快充方案。圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于立锜科技產(chǎn)品的240W PD3.1快充方案的展示板圖隨著PD3.1快充協(xié)議的發(fā)布，USB充電技術(shù)迎來了重大突破。該協(xié)議將電源的輸出電壓提升至48V、充電功率同步提升至240W。在此背景下，傳統(tǒng)的反激方案以及適用于20V輸出的協(xié)議芯片已無法滿足當(dāng)前的市場需求。設(shè)備制造商需要更新他們的
關(guān)鍵字：大聯(lián)大詮鼎立锜 PD3.1 快充

Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設(shè)計(jì)（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
關(guān)鍵字： Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz