<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
          EEPW首頁 >> 主題列表 >> pwb

          使用功率MOSFET封裝技術解決計算應用的高功耗問題

          •   對于主板設計師來說,要設計處理器電壓調節(jié)模塊(VRM)來滿足計算機處理器永無止境的功率需求實在是個大挑戰(zhàn)。Pentium 4處理器要求VRM提供的電流提高了約3倍。英特爾將其VRM指標從8.4版本升級到9.0版本,涵蓋了新的功率要求,以繼續(xù)追隨摩爾(Moore)定律。   在過去的10年間,VRM電流要求一直在增加,正如英特爾所公布的,IccMAX從VRM9.0中的60A發(fā)展成驅動高端4核處理器的VRM11.0所要求的150A。與此同時,電流切換速率要求也有相當大的提高;芯片插座處的dI/dT從45
          • 關鍵字: MOSFET  VRM  英特爾  低功耗  芯片  PWB  
          共1條 1/1 1
          關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();