Cascode GaN FET 動態測試面臨的挑戰 Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場,因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而,電路設計人員發現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易,因為它很容易發生振蕩,并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度,這降低了使用快速 GaN 功率器件的優勢。圖 1 顯示了關斷時的發散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
"極致數字化"的時代已然拉開帷幕,全新水平的復雜數據和生成式 AI
的"化學效應",正在加速提升自動化工作流的智能水平,幫助企業擁有更廣泛且有競爭力的業務影響,同時通過實時洞察和決策來加速和擴展企業內部數字化轉型的議程。據IBM
商業價值研究院近期針對全球范圍內2,000 多名首席級高管開展的一項AI和自動化調研的洞察報告顯示,在生成式 AI 采用和數據主導式創新領域處于前沿的企業已經收獲了巨大的回報,其年凈利潤要比其他組織高出 72%,年收入增長率要高出
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司(EPC)推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET,與EPC的上一代產品相比,其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm,采用耐熱QFN封裝,頂部裸露,封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
宜普電源轉換公司(EPC)推出三款激光驅動器電路板,這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板,分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
Flex Power Modules推出其PKM7200W系列DC-DC轉換器,它們具有16-160 V(185 V/1秒)超寬輸入范圍,適用于全球的鐵路相關應用。在僅為62 x 40 x 13 mm(2.44 x 1.57 x 0.51英寸)的小巧尺寸下可提供150 W的連續輸出功率,輸出電壓有12 V、24 V或54 VDC全穩壓單輸出可選。該器件的效率高達89%,并具有4 kVDC隔離功能,同時滿足EN 50155標準對于鐵路應用的要求,以及IEC/EN/UL 62368-1標準對于IT和音/視頻應