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意法半導(dǎo)體(ST)的新650V超結(jié)MOSFET提升能效和安全系數(shù)
- 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST)的最新超結(jié) (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統(tǒng)以及太陽能微逆變器廠商對(duì)電源能效的要求,同時(shí)提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。 MDmesh M2系列產(chǎn)品擁有最新最先進(jìn)的超結(jié)晶體管技術(shù),取得了比上一代產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)),以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外,這些產(chǎn)品更進(jìn)一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
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