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          基于QDR-IV SRAM 實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器 IP設(shè)計(jì)

          •   網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器。計(jì)數(shù)器用來(lái)記錄數(shù)據(jù)包到達(dá)和離開(kāi)的次數(shù)以及特定事件的次數(shù),比如當(dāng)網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時(shí)。數(shù)據(jù)包的到達(dá)會(huì)使多個(gè)不同的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器發(fā)生更新;但一臺(tái)網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器的數(shù)量及其更新速度常常受到存儲(chǔ)技術(shù)的限制?! 」芾斫y(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器需要高性能的存儲(chǔ)器才能滿足多重的讀—修改—寫(xiě)操作。本文將描述一種使用IP方法的獨(dú)特統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器,這種計(jì)數(shù)器的一端可以連接網(wǎng)絡(luò)處理器(NPU),另一端可以連接X(jué)ilinx公司的QDR-IV存儲(chǔ)控制器。QDR-IV統(tǒng)計(jì)計(jì)數(shù)器IP是
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          使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第三部分

          •   在本系列第二部分,我們探討了總線轉(zhuǎn)換、總線翻轉(zhuǎn)、地址奇偶校驗(yàn)等重要的總線問(wèn)題。在第三也是最后一部分,我們將探討校正問(wèn)題,其中包括矯正訓(xùn)練、控制/地址信號(hào)校正和讀寫(xiě)校正,以及糾錯(cuò)碼(ECC)和QDR-IV存儲(chǔ)器控制器的設(shè)計(jì)建議?! ⌒U?xùn)練序列  存儲(chǔ)器控制器和QDR IV較高的工作頻率意味著數(shù)據(jù)有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓(xùn)練序列”,它可通過(guò)減少字節(jié)通道之間的偏差擴(kuò)大這個(gè)窗口,從而在控制器讀取存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)時(shí),增加時(shí)序余量。校正訓(xùn)練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
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          使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第二部分

          •   總線轉(zhuǎn)換的注意事項(xiàng)  總線轉(zhuǎn)換時(shí)間非常重要,其決定了讀和寫(xiě)指令間是否需要額外的間隔來(lái)避免在同一個(gè)I/O 端口上發(fā)生總線沖突?! ∠胂笙翾DR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫(xiě)指令和讀指令。從CK 信號(hào)的上升沿(與初始化寫(xiě)指令周期相對(duì)應(yīng))算起,在整整三個(gè)時(shí)鐘周期后向DQA 引腳提供寫(xiě)數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個(gè)周期發(fā)送,因?yàn)?nbsp;DQ從CK 信號(hào)的上升沿(與初始化讀指令的周期相應(yīng))算起五個(gè)時(shí)鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。
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          使用QDR-IV設(shè)計(jì)高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第一部分

          •   流媒體視頻、云服務(wù)和移動(dòng)數(shù)據(jù)推動(dòng)了全球網(wǎng)絡(luò)流量的持續(xù)增長(zhǎng)。為了支持這種增長(zhǎng),網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)必須提供更快的線路速率和每秒處理數(shù)百萬(wàn)個(gè)數(shù)據(jù)包的性能。在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中,數(shù)據(jù)包的到達(dá)順序是隨機(jī)的,且每個(gè)數(shù)據(jù)包的處理需要好幾個(gè)存儲(chǔ)動(dòng)作。數(shù)據(jù)包流量需要每秒鐘訪問(wèn)數(shù)億萬(wàn)次存儲(chǔ)器,才能在轉(zhuǎn)發(fā)表中找到路徑或完成數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)?! ?shù)據(jù)包速率與隨機(jī)存儲(chǔ)器訪問(wèn)速率成正比。如今的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要具有很高的隨機(jī)訪問(wèn)速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長(zhǎng)的網(wǎng)絡(luò)流量。其中,RTR是衡量存儲(chǔ)器可以執(zhí)行的完全隨機(jī)存儲(chǔ)(讀或?qū)?的次數(shù),即隨機(jī)存儲(chǔ)速
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          賽普拉斯推出QDR-IV SRAM用于下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備

          •   靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,量產(chǎn)業(yè)界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量,可滿足下一代交換機(jī)和路由器的100-400?Gigabit線卡對(duì)隨機(jī)傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場(chǎng)上性能最高的標(biāo)準(zhǔn)網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)器解決方案。  對(duì)于不斷提升的線卡和交換速率來(lái)說(shuō),RTR(每秒完整隨機(jī)存取次數(shù))是存儲(chǔ)器性能的重要指標(biāo)。提升線卡速率的瓶
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          QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì)

          • QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計(jì),為了滿足當(dāng)前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求,更新的靜態(tài)存儲(chǔ)器應(yīng)運(yùn)而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開(kāi)發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲(chǔ)器?! ? QDR SRAM的
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          QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM

          •   北京訊,包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)。這些新型存儲(chǔ)器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達(dá)633兆赫茲(MHz)的時(shí)鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容,從而使網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、路由器及聚合平臺(tái)制造商不必修改電路板設(shè)計(jì),只需提高系統(tǒng)內(nèi)時(shí)鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能。 
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