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          基于QDR-IV SRAM 實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)流量管理統(tǒng)計計數(shù)器 IP設(shè)計

          •   網(wǎng)絡(luò)路由器帶有用于性能監(jiān)控、流量管理、網(wǎng)絡(luò)追蹤和網(wǎng)絡(luò)安全的統(tǒng)計計數(shù)器。計數(shù)器用來記錄數(shù)據(jù)包到達和離開的次數(shù)以及特定事件的次數(shù),比如當網(wǎng)絡(luò)出現(xiàn)壞包時。數(shù)據(jù)包的到達會使多個不同的統(tǒng)計計數(shù)器發(fā)生更新;但一臺網(wǎng)絡(luò)設(shè)備中的統(tǒng)計計數(shù)器的數(shù)量及其更新速度常常受到存儲技術(shù)的限制?! 」芾斫y(tǒng)計計數(shù)器需要高性能的存儲器才能滿足多重的讀—修改—寫操作。本文將描述一種使用IP方法的獨特統(tǒng)計計數(shù)器,這種計數(shù)器的一端可以連接網(wǎng)絡(luò)處理器(NPU),另一端可以連接Xilinx公司的QDR-IV存儲控制器。QDR-IV統(tǒng)計計數(shù)器IP是
          • 關(guān)鍵字: QDR-IV  IP  

          使用QDR-IV設(shè)計高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第三部分

          •   在本系列第二部分,我們探討了總線轉(zhuǎn)換、總線翻轉(zhuǎn)、地址奇偶校驗等重要的總線問題。在第三也是最后一部分,我們將探討校正問題,其中包括矯正訓(xùn)練、控制/地址信號校正和讀寫校正,以及糾錯碼(ECC)和QDR-IV存儲器控制器的設(shè)計建議?! ⌒U?xùn)練序列  存儲器控制器和QDR IV較高的工作頻率意味著數(shù)據(jù)有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正訓(xùn)練序列”,它可通過減少字節(jié)通道之間的偏差擴大這個窗口,從而在控制器讀取存儲器的數(shù)據(jù)時,增加時序余量。校正訓(xùn)練序列是賽普拉斯的QDR-IV SRAM的
          • 關(guān)鍵字: QDR-IV  SRAM  

          使用QDR-IV設(shè)計高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第二部分

          •   總線轉(zhuǎn)換的注意事項  總線轉(zhuǎn)換時間非常重要,其決定了讀和寫指令間是否需要額外的間隔來避免在同一個I/O 端口上發(fā)生總線沖突。  想象下QDR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到寫指令和讀指令。從CK 信號的上升沿(與初始化寫指令周期相對應(yīng))算起,在整整三個時鐘周期后向DQA 引腳提供寫數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)則將在下一個周期發(fā)送,因為 DQ從CK 信號的上升沿(與初始化讀指令的周期相應(yīng))算起五個時鐘周期后才能獲得數(shù)據(jù)。
          • 關(guān)鍵字: QDR-IV  SRAM  

          使用QDR-IV設(shè)計高性能網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)——第一部分

          •   流媒體視頻、云服務(wù)和移動數(shù)據(jù)推動了全球網(wǎng)絡(luò)流量的持續(xù)增長。為了支持這種增長,網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)必須提供更快的線路速率和每秒處理數(shù)百萬個數(shù)據(jù)包的性能。在網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中,數(shù)據(jù)包的到達順序是隨機的,且每個數(shù)據(jù)包的處理需要好幾個存儲動作。數(shù)據(jù)包流量需要每秒鐘訪問數(shù)億萬次存儲器,才能在轉(zhuǎn)發(fā)表中找到路徑或完成數(shù)據(jù)統(tǒng)計?! ?shù)據(jù)包速率與隨機存儲器訪問速率成正比。如今的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備需要具有很高的隨機訪問速率(RTR)性能和高帶寬才能跟上如今高速增長的網(wǎng)絡(luò)流量。其中,RTR是衡量存儲器可以執(zhí)行的完全隨機存儲(讀或?qū)?的次數(shù),即隨機存儲速
          • 關(guān)鍵字: QDR-IV  SRAM  

          基于FPGA的PCIe接口實現(xiàn)

          • 摘要 PCI Express是一種高性能互連協(xié)議,被廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)適配、圖形加速器、網(wǎng)絡(luò)存儲、大數(shù)據(jù)傳輸以及嵌入式系統(tǒng)等領(lǐng)域。文中介紹了PCIe的體系結(jié)構(gòu),以及利用Altera Cyclone IV GX系列FPGA實現(xiàn)PCIe接口所涉及的硬
          • 關(guān)鍵字: PCI Express  Cyclone IV GX FPGA  DMA仲裁  

          一種基于FPGA的視頻邊緣檢測系統(tǒng)設(shè)計

          • 摘要:對于視頻圖像檢測與識別的需要,提出了一種基于FPGA的視頻邊緣檢測系統(tǒng)設(shè)計方案,并完成系統(tǒng)的硬件設(shè)計。通過FPGA控制攝像頭進行視頻采集,雙端口SDRAM對圖像數(shù)據(jù)進行緩存,F(xiàn)PGA再對數(shù)據(jù)進行實時處理。實際采用DE2-115開發(fā)板和CMOS攝像頭OV7670為硬件平臺進行驗證。結(jié)果表明,該系統(tǒng)具有實時性高,檢測準確的特點,達到了設(shè)計要求。 隨著科技的發(fā)展,視頻采集系統(tǒng)越來越廣泛的應(yīng)用于各個領(lǐng)域,如體育直播,視頻會議,導(dǎo)彈的電視制導(dǎo)等等。而圖像邊緣是圖像的基本特征之一,其中包含了很重要的邊界信息,
          • 關(guān)鍵字: Altera  Cyclone IV  

          賽普拉斯推出QDR-IV SRAM用于下一代網(wǎng)絡(luò)設(shè)備

          •   靜態(tài)隨機存取存儲器市場領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布,量產(chǎn)業(yè)界首款四倍速(QDR?-IV?)SRAM。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM有144和72-Megabit?(Mbit)兩種容量,可滿足下一代交換機和路由器的100-400?Gigabit線卡對隨機傳輸速率的要求。賽普拉斯的QDR-IV?SRAM是市場上性能最高的標準網(wǎng)絡(luò)存儲器解決方案。  對于不斷提升的線卡和交換速率來說,RTR(每秒完整隨機存取次數(shù))是存儲器性能的重要指標。提升線卡速率的瓶
          • 關(guān)鍵字: 賽普拉斯  SRAM  QDR-IV  

          消息稱三星4月15日發(fā)布Galaxy S IV

          •   北京時間1月23日凌晨消息,據(jù)美國科技資訊網(wǎng)站SamMobile報道,三星將在4月15日發(fā)布最新款旗艦手機Galaxy S IV。   報道稱,這款手機配備2600mAh電池,Galaxy S III為2100mAh;擁有無線充電功能,提供黑白兩種顏色。   到目前為止,市場對Galaxy S IV的猜測包括使用8核Exynos 5 Octa處理器,時鐘頻率為1.8GHz;5英寸無邊設(shè)計顯示屏,能顯示全高清視頻;2GB RAM;1300萬像素背面攝像頭,具有1080p視頻捕捉功能;200萬像素正面
          • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy S IV  

          Galaxy S IV傳聞大爆發(fā):8核、無線充電、三防

          •   北京時間1月19日,據(jù)國外媒體報道,科技屆對三星Galaxy S IV的消息傳得沸沸揚揚。最新的消息稱這款手機將搭載8核處理器Exynos 5 Octa,運行時鐘頻率可達1.8GHZ。   報道稱,三星是否采用這款8核處理器尚不能下定論,畢竟Galaxy S III的四核處理器曾被替換為美國高通公司的Snapdragon雙核處理器,而Galaxy Note 2卻保留了Exynos處理器,所以任何事情都有可能發(fā)生。   當然毋容置疑的一點是,Galaxy S IV必將驚喜多多,歡樂無限。首先,有媒體
          • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy S IV  

          Altera Cyclone IV GX系列FPGA開發(fā)方案

          • Altera 公司的Cyclone IV 系列FPGA包括兩個系列:Cyclone IV E和Cyclone IV GX,具有低成本、低功耗的FPGA 架構(gòu),6 K 到150 K 的邏輯單元,高達6.3 Mb 的嵌入式存儲器,小于1.5 W 的總功耗;Cyclone IV GX 器件提供高達八個
          • 關(guān)鍵字: Cyclone  Altera  FPGA  IV    

          Vishay業(yè)界首款CAT IV高壓隔離光耦

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出業(yè)界首款采用表面貼裝封裝的CAT IV高壓隔離光耦---CNY64ST和CNY65ST,擴充其光電子產(chǎn)品組合。CNY64ST和CNY65ST系列產(chǎn)品通過了國際安全監(jiān)管機構(gòu)VDE的認證,具有長爬電距離和高隔離測試電壓,可保護在類似太陽能發(fā)電和風(fēng)電機組的電網(wǎng)連接等高壓環(huán)境中的工人和設(shè)備?,F(xiàn)在,希望在產(chǎn)品中全面使用表面貼裝元器件以實現(xiàn)靈活生產(chǎn)的客戶可以使用CNY64ST和CNY65ST,這兩款器件填補了現(xiàn)有CNY6x系列通孔器件在封裝形式上
          • 關(guān)鍵字: Vishay  太陽能  CAT IV  

          QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計

          • QDR SRAM與Spartan3 FPGA的接口設(shè)計,為了滿足當前系統(tǒng)和處理器的生產(chǎn)量需求,更新的靜態(tài)存儲器應(yīng)運而生。QDR SRAM就是由Cypress、Renesas、IDT、NEC和Samsung為高性能的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)應(yīng)用而共同開發(fā)的一種具有創(chuàng)新體系結(jié)構(gòu)的同步靜態(tài)存儲器?! ? QDR SRAM的
          • 關(guān)鍵字: 接口  設(shè)計  FPGA  Spartan3  SRAM  QDR  

          QDR聯(lián)盟推出新型最高速的QDR SRAM

          •   北京訊,包括賽普拉斯半導(dǎo)體公司(NASDAQ:CY)和瑞薩電子公司(TSE: 6723)在內(nèi)的QDR聯(lián)盟日前宣布推出業(yè)界最快的四倍數(shù)據(jù)率(QDR) SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。這些新型存儲器將被命名為QDRII+ Xtreme并將以高達633兆赫茲(MHz)的時鐘頻率允許。這些器件將與現(xiàn)有的QDR II+器件在管腳、尺寸和功能方面兼容,從而使網(wǎng)絡(luò)交換機、路由器及聚合平臺制造商不必修改電路板設(shè)計,只需提高系統(tǒng)內(nèi)時鐘速度即可大幅改善產(chǎn)品性能。 
          • 關(guān)鍵字: QDR  SRAM  

          Altera第二批40nm FPGA面市,顛覆收發(fā)器的密度/成本

          •   繼Altera 08年12月率先發(fā)布第一批40nm FPGA后,2個月后的09年2與10日,Altera公司又投下了四枚40nm炸彈:Stratix IV GT和Arria II GX 40nm FPGA系列與Stratix IV GX FPGA和HardCopy IV GX ASIC,四者進一步拓展了全系列收發(fā)器FPGA和ASIC解決方案產(chǎn)品組合。   “Altera多年來一直致力于的全系列收發(fā)器開發(fā),至此,Altera系列產(chǎn)品提供的收發(fā)器速率覆蓋了155 Mbps至11.3 Gb
          • 關(guān)鍵字: Altera  FPGA  Stratix IV   
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