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          我國科學(xué)家技術(shù)突破 存儲(chǔ)芯片無限次擦寫引圍觀:TLC、QLC買誰 恐不再糾結(jié)

          • 7月1日消息,據(jù)國內(nèi)媒體報(bào)道稱,四川科學(xué)家借力AI 開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料",讓存儲(chǔ)芯片無限次擦寫。報(bào)道中提到,電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)、中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果,開發(fā)出"耐疲勞鐵電材料",在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領(lǐng)域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問題。鐵電材料在經(jīng)歷反復(fù)極化切換后,極化只能實(shí)現(xiàn)部分翻轉(zhuǎn),導(dǎo)致鐵電材料失效,即鐵電疲勞。這一問題早在1953年就已被研究者發(fā)現(xiàn)報(bào)道,
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)芯片  TLC  QLC  

          Omdia:2027 年 QLC 市場規(guī)模將占整體 NAND 閃存 46.4%,為去年 3.6 倍

          • IT之家 6 月 14 日消息,韓媒 Sedaily 轉(zhuǎn)述市場分析機(jī)構(gòu) Omdia 的話稱,2027 年 QLC 市場規(guī)模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%,僅略低于 TLC 的 51%。作為對(duì)比,Omdia 認(rèn)為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%,今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說,未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升 1.24 倍,達(dá) 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前,QLC 的市場滲透主要
          • 關(guān)鍵字: QLC  NAND 閃存  

          美光率先量產(chǎn)面向客戶端和數(shù)據(jù)中心的200+層QLC NAND產(chǎn)品

          • Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司)近日宣布,美光232層QLC NAND現(xiàn)已量產(chǎn),并在部分?Crucial?英睿達(dá)固態(tài)硬盤(SSD)中出貨。與此同時(shí),美光?2500 NVMeTM?SSD?也已面向企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)客戶量產(chǎn),并向?PC OEM?廠商出樣。這些進(jìn)展彰顯了美光在?NAND?技術(shù)領(lǐng)域的長期領(lǐng)導(dǎo)地位。美光?232?層?QLC NAND?可為移動(dòng)
          • 關(guān)鍵字: 美光  QLC NAND  

          西部數(shù)據(jù)推出針對(duì)OEM廠商的全新商用SSD,樹立下一代QLC產(chǎn)品性能標(biāo)桿

          • 數(shù)字化時(shí)代的高速發(fā)展要求推動(dòng)未來技術(shù)創(chuàng)新的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)也持續(xù)迭代革新。為滿足用戶對(duì)于高性能、高可靠性、更大容量及更低成本的多樣化存儲(chǔ)需求,西部數(shù)據(jù)公司近日宣布推出搭載下一代高性能QLC(四級(jí)單元)的西部數(shù)據(jù)? PC SN5000S NVMe? SSD,從而為 PC OEM 廠商提供創(chuàng)新的PCIe Gen4x4 存儲(chǔ)解決方案,幫助用戶輕松應(yīng)對(duì)繁重的工作負(fù)載。據(jù)IDC[i]預(yù)測,到2026年,有超過50%的商用SSD將采用QLC NAND閃存?;诖耍钍苁袌鲂刨嚨母叨舜鎯?chǔ)品牌西部數(shù)據(jù)推出了此次強(qiáng)大的存儲(chǔ)解決方案
          • 關(guān)鍵字: 西部數(shù)據(jù)  商用SSD  QLC  

          分區(qū)存儲(chǔ)助力QLC應(yīng)用到嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備

          • 目前應(yīng)用在移動(dòng)終端的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備(這里主要指UFS/eMMC等,以下統(tǒng)稱“嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備”)中主流介質(zhì)還是TLC。但更高存儲(chǔ)密度的QLC也已經(jīng)產(chǎn)品化,比如一些數(shù)據(jù)中心(讀密集型應(yīng)用)已經(jīng)在部署QLC存儲(chǔ)設(shè)備。QLC可以給存儲(chǔ)設(shè)備帶來更低的成本,作為消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品的嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備,未來引入QLC也是勢(shì)在必行。但和當(dāng)前主流TLC相比,QLC在性能和壽命上都相差很大,從下面某原廠TLC和QLC在性能和壽命方面的一個(gè)對(duì)比可見一斑。(Table 1:某原廠TLC和QLC性能和壽命對(duì)比) 因此,QLC要應(yīng)用在
          • 關(guān)鍵字: 分區(qū)存儲(chǔ)  QLC  嵌入式存儲(chǔ)設(shè)備  

          Intel全球首發(fā)144層QLC SSD!最大30.72TB、壽命媲美TLC

          • 今天舉辦的2020內(nèi)存存儲(chǔ)日活動(dòng)上,Intel一口氣發(fā)布了六款全新的內(nèi)存、存儲(chǔ)新產(chǎn)品,首先來看面向數(shù)據(jù)中心市場的SSD D7-P5510、SSD D5-P5316,同時(shí)全球首發(fā)144層堆疊的QLC NAND閃存,都支持PCIe 4.0。Intel雖然已經(jīng)將NAND閃存業(yè)務(wù)和工廠賣給SK海力士,但是交易并未完成,Intel既有路線圖也會(huì)繼續(xù)執(zhí)行,同時(shí)交易也不涉及傲騰技術(shù)和產(chǎn)品,Intel會(huì)持續(xù)推進(jìn)。2016年,Intel推出了第一代32層堆疊TLC閃存,次年翻番到64層并進(jìn)化為TLC顆粒,存儲(chǔ)密度提高了13
          • 關(guān)鍵字: QLC  SSD  Intel  

          QLC SSD不好?只是價(jià)格還不夠理想而已!

          • 說到QLC SSD,就不得不提三星 860 QVO SSD。作為最早搭載QLC閃存顆粒的消費(fèi)級(jí)SATA SSD,三星 860 QVO SSD剛發(fā)布的時(shí)候就因?yàn)槠湫阅鼙憩F(xiàn)欠佳,而引發(fā)了不少用戶和媒體人的討論:QLC(4bit MLC)到底有沒有實(shí)際意義?它是不是大號(hào)U盤?等等。雖然剛開始大家都視QLC SSD為洪水猛獸,紛紛對(duì)三星 860 QVO SSD持保留態(tài)度,但是隨著其售價(jià)不斷的下探,主打的大容量和讀寫性能的強(qiáng)勁,還是有不少玩家無法逃脫“真香定律”選擇入手,相比一開始消費(fèi)者的遲疑反應(yīng)而言,無論
          • 關(guān)鍵字: QLC  SSD  

          群聯(lián)發(fā)布最高容量的QLC閃存硬盤:15.36TB、掀翻HDD

          • HDD硬盤的出貨量不斷下滑,現(xiàn)在大容量方面也要遇到SSD的挑戰(zhàn)了——群聯(lián)今天宣布推出S12DC主控方案,搭配QLC閃存可以做到15.36TB容量,是QLC中最高記錄。群聯(lián)的S12DC方案不追求極致性能,基于此的SRE250硬盤使用的是SATA 6Gbpos接口,2.5寸、7mm厚度常規(guī)標(biāo)準(zhǔn),容量可以做到1.92/3.84/7.68及最高的15.36TB。性能方面,連續(xù)讀取為530MB/s,連續(xù)寫入為220MB/s,4K隨機(jī)讀取90K IOPS,4K隨機(jī)寫入10K IOPS,功耗4.5W。這個(gè)QLC硬盤的性
          • 關(guān)鍵字: QLC  閃存硬盤  

          長江存儲(chǔ)128層QLC閃存首次公開亮相

          • Q3季度閃存價(jià)格又要跌10%,今年6大原廠將會(huì)把重點(diǎn)轉(zhuǎn)向128層堆棧的3D閃存生產(chǎn)上來。國產(chǎn)的長江存儲(chǔ)也趕上來了,4月份推出了128層QLC閃存,在中國電子信息博覽會(huì)首次亮相。長江存儲(chǔ)這次展示了64層、128層堆棧的閃存,其中64層TLC閃存是國內(nèi)首個(gè)自研量產(chǎn)的64層閃存,基于Xtacking堆疊架構(gòu),單位面積的存儲(chǔ)密度是同類產(chǎn)品中最大的。目前長江存儲(chǔ)的量產(chǎn)主力就是64層TLC閃存,已經(jīng)隨光威、國科微、金泰克、七彩虹等廠商的SSD硬盤上市。長江存儲(chǔ)展示的另一個(gè)重點(diǎn)是128層QLC閃存,這是今年4月13日才
          • 關(guān)鍵字: 長江存儲(chǔ)  128  QLC  閃存  

          第八屆中國電子信息博覽前瞻!這些亮點(diǎn)不容錯(cuò)過!

          • 寂半年之后,無論是業(yè)內(nèi)人士還是廣大消費(fèi)者,都渴望換換環(huán)境、出去走走,在深圳會(huì)展中心看一場科技盛宴再適合不過。8K智慧屏、5G芯片、機(jī)器人、新能源汽車,還有會(huì)跳舞的機(jī)器人,這些來自世界各地的炫酷黑科技和創(chuàng)新成果都將出現(xiàn)在CITE2020。相比以往,CITE2020不僅更側(cè)重世界科技創(chuàng)新合作,也更聚焦于時(shí)代風(fēng)口下的“科技”之爭,注重科技與生活的結(jié)合。對(duì)于即將到來的CITE2020,面對(duì)那些不勝枚舉的震撼現(xiàn)場,你準(zhǔn)備好了嗎?搭建電子信息全產(chǎn)業(yè)鏈展示、交流平臺(tái)!作為中國電子信息產(chǎn)業(yè)的窗口和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展風(fēng)向標(biāo),第八
          • 關(guān)鍵字: CITE2020  CMO  QLC  

          Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級(jí)NVMe?固態(tài)硬盤控制器

          • 隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能(AI)和機(jī)器學(xué)習(xí)(ML)工作負(fù)載越來越多,市場需要具備更寬存儲(chǔ)帶寬和更高單機(jī)架存儲(chǔ)密度的云級(jí)別基礎(chǔ)設(shè)施。因此,市場的趨勢(shì)是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)工業(yè)協(xié)會(huì)(SINA)新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤外形尺寸(EDSFF) E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲(chǔ)器高速(NVMe?)固態(tài)硬盤。這些固態(tài)硬盤要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn),能驅(qū)動(dòng)NAND閃存發(fā)揮最大潛力,同時(shí)保持這種企業(yè)級(jí)NVMe固態(tài)硬盤所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
          • 關(guān)鍵字: QLC  TLC  AI  ML  SINA  IOPS  

          國產(chǎn)128層QLC閃存問世 武漢基地二期開工

          • 4年前的2016年,國家在武漢建設(shè)了國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期,不僅量產(chǎn)了64層閃存,今年初還研發(fā)成功128層QLC閃存。昨天國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期也在武漢東湖高新區(qū)未來科技城正式啟動(dòng),整個(gè)項(xiàng)目投資高達(dá)240億美元,約合1697億元。在開工儀式上,紫光集團(tuán)、長江存儲(chǔ)董事長趙偉國介紹了項(xiàng)目有關(guān)情況。他表示,國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目一期開工建設(shè)以來,從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲(chǔ)器芯片工廠,實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。趙偉國表示,國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目于2016年12月30日開工,計(jì)劃分兩期建設(shè)3D NAND
          • 關(guān)鍵字: 國產(chǎn)  128層  QLC  閃存  

          美光推出性能型和經(jīng)濟(jì)型客戶端 NVMe? SSD 新品, 搭載業(yè)界領(lǐng)先的容量和 QLC NAND 技術(shù)

          • 新聞要點(diǎn)●? ?全新的性能型和經(jīng)濟(jì)型 SSD 的靈活選擇滿足了從輕薄筆記本到高性能工作站客戶端PC系統(tǒng)的存儲(chǔ)需求;●? ?M.2 外形規(guī)格的美光 2300 SSD 采用美光創(chuàng)新的 96 層 3D NAND 技術(shù),具備行業(yè)領(lǐng)先的 2TB 容量[1];●? ?美光 2210 SSD 兼具SSD 的性能和性價(jià)比;與機(jī)械硬盤相比,采用了美光 QLC 架構(gòu)的 2210 SSD的功耗降低了 15 倍之多。內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商 Micron Techn
          • 關(guān)鍵字: QLC  SSD  

          Intel SSD將全面轉(zhuǎn)向144層3D QLC閃存:PLC研發(fā)中

          • 在QLC閃存的商用上,Intel和曾經(jīng)的親密戰(zhàn)友美光(英睿達(dá))步子最靠前,660p、P1系列都在渠道開賣了很長一段時(shí)間。日前,Intel非易失性存儲(chǔ)解決方案負(fù)責(zé)人Rob Crooke透露,Intel的QLC SSD出貨量超1000萬。她同時(shí)公布,基于144層3D QLC閃存(內(nèi)部命名為Arbordale Plus技術(shù),家族第四代閃存)的SSD(代號(hào)Keystone Harbor)會(huì)在今年底出貨,Intel準(zhǔn)備在2021年內(nèi)將整個(gè)SSD產(chǎn)品線都遷移到144層閃存芯片上。不僅如此,Intel確認(rèn),容量密度更高
          • 關(guān)鍵字: Intel  SSD  QLC  

          中國剛突破128層QLC閃存 三星將首發(fā)160層閃存

          • 上周中國的長江存儲(chǔ)公司宣布攻克128層3D閃存技術(shù),QLC類型容量做到了1.33Tb容量,創(chuàng)造了三個(gè)世界第一。國產(chǎn)閃存突飛猛進(jìn),三星等公司也沒閑著,三星正在開發(fā)160堆棧的3D閃存。對(duì)3D閃存來說,堆棧層數(shù)越多,容量就越大,存儲(chǔ)密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球?qū)⒋笠?guī)模量產(chǎn)100+層的3D閃存。不過每家的技術(shù)方案不同,東芝、西數(shù)的BiCS 5代3D閃存是112層的,美光、SK海力士有128層的,Intel的是144層,而且是浮柵極技術(shù)的,三星去年推出的第六代V-NAND閃存做到了136層
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